机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2007 [1]
• 2006 [3]
• 2005 [1]

学科主题

• 半导体物理 [5]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Extremely low density InAs quantum dots with no wetting layer 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 1025-1028 Huang, SS (Huang She-Song); Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan); Ni, HQ (Ni Hai-Qiao); Zhan, F (Zhan Feng); Zhao, H (Zhao Huan); Sun, Z (Sun Zheng); Xia, JB (Xia Jian-Bai) 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/29 DROPLET EPITAXY   Room temperature continuous wave operation of 1.33-micron InAs/GaAs quantum dot laser with high output power 期刊论文  OAI收割 chinese optics letters, 2006, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 413-415 作者:  Xiaohong Yang;  Qin Han;  Zhichuan Niu;  Yingqiang Xu;  Hongling Peng 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Enhancement of photoluminescence intensity of GaInNAs/GaAs quantum wells by two-step rapid thermal annealing 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2579-2582 Zhao H (Zhao Huan); Xu YQ (Xu Ying-Qiang); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); Han Q (Han Qin); Wu RH (Wu Rong-Han); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan) 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  ORIGIN   1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 482-488 作者:  Wu Donghai;  Han Qin;  Peng Hongling;  Niu Zhichuan 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1860-1864 作者:  Xu Yingqiang;  Yang Xiaohong;  Xu Yingqiang;  Han Qin;  Niu Zhichuan 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/11/23