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机构
西安光学精密机械研究... [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
2013 [1]
2012 [1]
2011 [1]
2010 [2]
学科主题
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浏览/检索结果:
共5条，第1-5条
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内容类型：专利
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Light emitting devices having dopant front loaded tunnel barrier layers
专利
OAI收割
专利号: US8354689, 申请日期: 2013-01-15, 公开日期: 2013-01-15
作者:
CHUA, CHRISTOPHER L.
;
YANG, ZHIHONG
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浏览/下载：8/0
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提交时间：2019/12/24
Semi-polar nitride-based light emitting structure and method of forming same
专利
OAI收割
专利号: US8330144, 申请日期: 2012-12-11, 公开日期: 2012-12-11
作者:
STRITTMATTER, ANDRE
;
JOHNSON, NOBLE M.
;
TEEPE, MARK
;
CHUA, CHRISTOPHER L.
;
YANG, ZHIHONG
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收藏
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2019/12/24
Laser diode with high indium active layer and lattice matched cladding layer
专利
OAI收割
专利号: US8000366, 申请日期: 2011-08-16, 公开日期: 2011-08-16
作者:
BOUR, DAVID P.
;
CHUA, CHRISTOPHER L.
;
JOHNSON, NOBLE M.
;
YANG, ZHIHONG
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浏览/下载：10/0
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提交时间：2019/12/26
Semiconductor light emitting devices with non-epitaxial upper cladding
专利
OAI收割
专利号: US7856040, 申请日期: 2010-12-21, 公开日期: 2010-12-21
作者:
BOUR, DAVID P.
;
CHUA, CHRISTOPHER L.
;
JOHNSON, NOBLE M.
;
YANG, ZHIHONG
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2019/12/24
Method of forming a buried aperture nitride light emitting device
专利
OAI收割
专利号: US7718455, 申请日期: 2010-05-18, 公开日期: 2010-05-18
作者:
CHUA, CHRISTOPHER L.
;
YANG, ZHIHONG
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2019/12/24
