机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2001 [1]
• 2000 [3]

学科主题

• 半导体材料 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：77/2  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  ELECTRON-PHONON INTERACTIONS  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS  CARRIER TRANSFER  INAS  GAAS  LASERS  ISLANDS  GROWTH  GAIN   Two-dimensional ordering of self-assembled InAs quantum dots grown on (311)B InP substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  molecular beam epitaxy  high index  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAINED ISLANDS  GAAS  ORGANIZATION  INP(001)  LASERS  INGAAS  LAYER   Room temperature 1.55 mu m emission from InAs quantum dots grown on (001)InP substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 451-454 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  molecular beam epitaxy  InAs/InP  INP  ISLANDS  GAAS  MATRIX   Temperature dependence of electron redistribution in modulation-doped InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 3, 页码: 199-204 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InAs/GaAs  MBE  photoluminescence  absorption  OPTICAL-PROPERTIES  PHOTOLUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  INGAAS  LASER