机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2014 [1]
• 2006 [3]
• 2004 [3]

学科主题

• 光电子学 [7]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of Fe doping on the strain and optical properties of GaN epilayers grown on sapphire substrates 期刊论文  OAI收割 rsc advances, RSC ADVANCES, 2014, 2014, 卷号: 4, 4, 期号: 98, 页码: 55430-55434, 55430-55434 作者:  Zheng, CC;  Ning, JQ;  Wu, ZP;  Wang, JF;  Zhao, DG   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/03/20 Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105 Wang JF (Wang J. F.); Yao DZ (Yao D. Z.); Chen J (Chen J.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  STRESS EVOLUTION  DEFECT STRUCTURE  EPITAXIAL GAN  THIN-FILMS  ALGAN  DISLOCATIONS  RELAXATION  REDUCTION   Measurement of threading dislocation densities in GaN by wet chemical etching 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 1229-1235 作者:  Yang H;  Zhu JJ;  Yang H;  Wang H;  Wang H 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/11 X-RAY-DIFFRACTION   Characteristics of InGaN multiple quantum well blue-violet laser diodes 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2006, 卷号: 49, 期号: 6, 页码: 727-732 Li DY (Li Deyao); Zhang SM (Zhang Shuming); Wang JF (Wang Jianfeng); Chen J (Chen Jun); Chen LH (Chen Lianghui); Chong M (Chong Ming); Zhu JJ (Zhu Jianjun); Zhao DG (Zhao Degang); Liu ZS (Liu Zongshun); Yang H (Yang Hui); Liang JW (Liang Junwu) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/11 metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)  GaN-hased laser diodes  multiple quantum well  ridge waveguide  threshold current  ELECTRICAL-PROPERTIES  GAN SUBSTRATE  CONTACTS   Effect of the N/Al ratio of AlN buffer on the crystal properties and stress state of GaN film grown on Si(111) substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 331-335 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：207/73  |  提交时间：2010/03/09 full-width at half-maximum   Indium mole fraction effect on the structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2004, 卷号: 37, 期号: 15, 页码: 2060-2063 Liu, JP; Jin, RQ; Zhang, JC; Wang, JF; Wu, M; Zhu, JJ; Zhao, DG; Wang, YT; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：69/23  |  提交时间：2010/03/09 LIGHT-EMITTING-DIODES   The influence of AlN buffer layer thickness on the properties of GaN epilayer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 24-29 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：56/32  |  提交时间：2010/03/09 buffer layer