机构

• 西安光学精密机械研... [51]
• 大连化学物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [52]

内容类型

• 专利 [52]

发表日期

• 1998 [52]

学科主题

• 物理化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共52条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    发表日期：1998    内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998335749A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18 作者:  幡 俊雄;  菅原 聰;  花岡 大介   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2865160B2, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1999-03-08 作者:  石川 信   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 歪量子井戸型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2861166B2, 申请日期: 1998-12-11, 公开日期: 1999-02-24 作者:  石川 信   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998326940A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08 作者:  高橋 孝志   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998321942A, 申请日期: 1998-12-04, 公开日期: 1998-12-04 作者:  上村 信行;  長谷川 義晃;  石橋 明彦;  原 義博;  木戸口 勲   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レ-ザ装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998303511A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13 作者:  小山 剛久;  八谷 光芳   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2848615B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20 作者:  明利 敏巳   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2847702B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20 作者:  池田 昌夫;  中野 一志;  戸田 淳   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998294534A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04 作者:  斉藤 肇;  松本 晃広   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子および光電子集積回路 专利  OAI收割 专利号: JP1998290044A, 申请日期: 1998-10-27, 公开日期: 1998-10-27 作者:  成井 啓修;  玉田 仁志   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31