机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2011 [6]

学科主题

• 半导体物理 [6]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    发表日期：2011    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：33/2  |  提交时间：2011/07/05 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 109, 109, 期号: 7, 页码: article no.74313, Article no.74313 作者:  Zhang XW;  Li JB;  Chang K;  Li SS;  Xia JB   |  收藏  |  浏览/下载：61/4  |  提交时间：2011/07/05 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  QUANTUM WIRES  SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM  FIELD  GAMNN  Molecular-beam Epitaxy  Room-temperature  Quantum Wires  Semiconductors  Ferromagnetism  Field  Gamnn   Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism 期刊论文  OAI收割 solid state communications, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2011, 2011, 卷号: 151, 151, 期号: 6, 页码: 456-459, 456-459 作者:  Wu H;  Gan HD;  Zheng HZ;  Lu J;  Zhu H   |  收藏  |  浏览/下载：64/5  |  提交时间：2011/07/05 Magnetic semiconductors  Molecular beam epitaxy  Magneto-optical effects  TRANSPORT-PROPERTIES  SEMICONDUCTOR  (GA,CR)AS  Magnetic Semiconductors  Molecular Beam Epitaxy  Magneto-optical Effects  Transport-properties  Semiconductor  (Ga  Cr)As   Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2011, 2011, 卷号: 20, 20, 期号: 1, 页码: article no.18102, Article no.18102 作者:  He JF;  Niu ZC   |  收藏  |  浏览/下载：105/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE  Molecular Beam Epitaxy  Anti-phase Domain  Gaas/ge Interface  Chemical Vapor-deposition  Junction Solar-cells  Domain-free Growth  Temperature  Quality  Future   First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires 期刊论文  OAI收割 journal of nanoparticle research, JOURNAL OF NANOPARTICLE RESEARCH, 2011, 2011, 卷号: 13, 13, 期号: 1, 页码: 185-191, 185-191 作者:  Wang ZG;  Wang SJ;  Zhang CL;  Li JB;  Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China. , Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China. zgwang@uestc.edu.cn   |  收藏  |  浏览/下载：100/6  |  提交时间：2011/07/05 Twinned SiC nanowires  Electronic properties  Ab initio  Modeling and simulation  SILICON-CARBIDE NANOWIRES  FIELD-EMISSION PROPERTIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INAS NANOWIRES  GROWTH  NANOTUBES  NITRIDE  DIFFUSION  NANORODS  ENERGY  Twinned Sic Nanowires  Electronic Properties  Ab Initio  Modeling And Simulation  Silicon-carbide Nanowires  Field-emission Properties  Molecular-beam Epitaxy  Inas Nanowires  Growth  Nanotubes  Nitride  Diffusion  Nanorods  Energy   Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst 期刊论文  OAI收割 nano research, NANO RESEARCH, 2011, 2011, 卷号: 4, 4, 期号: 4, 页码: 343-359, 343-359 作者:  Fasoli A;  Colli A;  Martelli F;  Pisana S;  Tan PH   |  收藏  |  浏览/下载：52/5  |  提交时间：2011/07/05 CdSe  nanowires  photoluminescence  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS  LIQUID-SOLID MECHANISM  OPTICAL-PROPERTIES  SILICON NANOWIRES  SI NANOWIRES  ZNSE NANOWIRES  SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS  STRUCTURAL-PROPERTIES  EPITAXIAL-GROWTH  Cdse  Nanowires  Photoluminescence  Chemical-vapor-deposition  Shape-selective Synthesis  Liquid-solid Mechanism  Optical-properties  Silicon Nanowires  Si Nanowires  Znse Nanowires  Semiconductor Nanocrystals  Structural-properties  Epitaxial-growth