机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2017 [1]
• 2014 [2]
• 2011 [4]

学科主题

• 光电子学 [7]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Theoretical study of the effect of different n-doping elements on band structure and optical gain of GeSn alloys 期刊论文  OAI收割 Phys. Chem. Chem. Phys., 2017, 卷号: 19, 页码: 27031--27037 作者:  Wenqi Huang;  Hong Yang;  Buwen Cheng;  Chunlai Xue 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/07/02 Comparative studies of clustering effect, electronic and optical properties for GePb and GeSn alloys with low Pb and Sn concentration 期刊论文  OAI收割 physica b-condensed matter, PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2014, 2014, 卷号: 443, 443, 页码: 43-48, 43-48 作者:  Huang, WQ;  Cheng, BW;  Xue, CL;  Li, CB   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2015/04/02 Crystal Quality Improvement of GeSn Alloys by Thermal Annealing 期刊论文  OAI收割 ecs solid state letters, ECS SOLID STATE LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 3, 3, 期号: 10, 页码: p127-p130, P127-P130 作者:  Zhang, X;  Zhang, DL;  Cheng, BW;  Liu, Z;  Zhang, GZ   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2015/03/25 GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection 期刊论文  OAI收割 optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 6408-6413 Su SJ; Cheng BW; Xue CL; Wang W; Cao QA; Xue HY; Hu WX; Zhang GZ; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：71/5  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-PERFORMANCE  SEMICONDUCTORS  SILICON   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103 作者:  Su SJ 收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/07 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103 Wang, W; Su, SJ; Zheng, J; Zhang, GZ; Zuo, YH; Cheng, BW; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/02/06 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101 Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：55/3  |  提交时间：2011/07/05 GeSn  Ge  molecular beam epitaxy  epitaxial growth  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1