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机构
半导体研究所 [11]
微电子研究所 [1]
高能物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [10]
iSwitch采集 [3]
内容类型
期刊论文 [13]
发表日期
2018 [1]
2017 [2]
2014 [2]
2011 [6]
2010 [2]
学科主题
光电子学 [7]
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共13条,第1-10条
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Dislocation-related photoluminescence of GeSn films grown on Ge (001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 125022
作者:
Yang, Xinju
;
Jia QJ(贾全杰)
;
Jiang, Zuimin
;
Jia, Quanjie
;
Zhong, Zhenyang
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2019/10/11
GeSn
dislocation-related photoluminescence
molecular beam epitaxy
microstructure
x-ray diffraction reciprocal space mapping
Investigation on direct-gap GeSn alloys for high-performance tunneling field-effect transistor applications
期刊论文
OAI收割
Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, 2017
作者:
Liu L(刘磊)
;
Wang GL(王桂磊)
;
Henry Homayoun Radamson
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提交时间:2018/07/05
Theoretical study of the effect of different n-doping elements on band structure and optical gain of GeSn alloys
期刊论文
OAI收割
Phys. Chem. Chem. Phys., 2017, 卷号: 19, 页码: 27031--27037
作者:
Wenqi Huang
;
Hong Yang
;
Buwen Cheng
;
Chunlai Xue
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/07/02
Comparative studies of clustering effect, electronic and optical properties for GePb and GeSn alloys with low Pb and Sn concentration
期刊论文
OAI收割
physica b-condensed matter, PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2014, 2014, 卷号: 443, 443, 页码: 43-48, 43-48
作者:
Huang, WQ
;
Cheng, BW
;
Xue, CL
;
Li, CB
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2015/04/02
Crystal Quality Improvement of GeSn Alloys by Thermal Annealing
期刊论文
OAI收割
ecs solid state letters, ECS SOLID STATE LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 3, 3, 期号: 10, 页码: p127-p130, P127-P130
作者:
Zhang, X
;
Zhang, DL
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2015/03/25
Strained and strain-relaxed epitaxial ge1-xsnx alloys on si(100) substrates
期刊论文
iSwitch采集
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 5
作者:
Wang Wei
;
Su Shao-Jian
;
Zheng Jun
;
Zhang Guang-Ze
;
Zuo Yu-Hua
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浏览/下载:112/0
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提交时间:2019/05/12
Gesn alloys
Strained
Strain-relaxed
Molecular beam epitaxy
Epitaxial growth of ge0.975sn0.025 alloy films on si(001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
iSwitch采集
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Su Shao-Jian
;
Wang Wei
;
Zhang Guang-Ze
;
Hu Wei-Xuan
;
Bai An-Qi
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2019/05/12
Gesn
Ge
Molecular beam epitaxy
Epitaxial growth
GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection
期刊论文
OAI收割
optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 6408-6413
Su SJ
;
Cheng BW
;
Xue CL
;
Wang W
;
Cao QA
;
Xue HY
;
Hu WX
;
Zhang GZ
;
Zuo YH
;
Wang QM
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浏览/下载:70/5
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提交时间:2011/07/05
HIGH-PERFORMANCE
SEMICONDUCTORS
SILICON
Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103
作者:
Su SJ
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浏览/下载:93/5
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提交时间:2011/07/07
GeSn alloys
strained
strain-relaxed
molecular beam epitaxy
Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103
Wang, W
;
Su, SJ
;
Zheng, J
;
Zhang, GZ
;
Zuo, YH
;
Cheng, BW
;
Wang, QM
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/02/06
GeSn alloys
strained
strain-relaxed
molecular beam epitaxy