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Electron beam pumped non-c-plane UV emitters 专利  OAI收割
专利号: US10135227, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20
作者:  WUNDERER, THOMAS;  JOHNSON, NOBLE M.
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Polarization control in vertical cavity surface emitting lasers using off-axis epitaxy 专利  OAI收割
专利号: US20070098032A1, 申请日期: 2007-05-03, 公开日期: 2007-05-03
作者:  JOHNSON, RALPH H.
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110 oriented group iv-vi semiconductor structure, and method for making and using the same 专利  OAI收割
专利号: EP1714359A2, 申请日期: 2006-10-25, 公开日期: 2006-10-25
作者:  ZHISHENG, SHI
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Semiconductor optical device and method of manufacturing the same 专利  OAI收割
专利号: US6990131, 申请日期: 2006-01-24, 公开日期: 2006-01-24
作者:  IGA, RYUZO;  KONDO, SUSUMU;  OGASAWARA, MATSUYUKI;  KONDO, YASUHIRO
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半導体量子井戸レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP2890505B2, 申请日期: 1999-02-26, 公开日期: 1999-05-17
作者:  岩田 普
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化合物半導体薄膜結晶の成長方法 专利  OAI收割
专利号: JP2766645B2, 申请日期: 1998-04-03, 公开日期: 1998-06-18
作者:  杉山 直治;  上條 健;  山田 正理;  大木 芳正
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光半導体素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2725449B2, 申请日期: 1997-12-05, 公开日期: 1998-03-11
作者:  北村 光弘;  佐々木 達也
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半導体発光装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2538960B2, 申请日期: 1996-07-08, 公开日期: 1996-10-02
作者:  牛嶋 一郎;  中井 三郎;  生沼 一幸;  大宮 史也
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半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994034427B2, 申请日期: 1994-05-02, 公开日期: 1994-05-02
作者:  藤井 宏明
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Process for the selective growth of GaAs 专利  OAI收割
专利号: US5185289, 申请日期: 1993-02-09, 公开日期: 1993-02-09
作者:  MEIER, HEINZ P.;  VAN GIESON, EDWARD A.;  WALTER, WILLI
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