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机构
半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2014 [1]
2013 [1]
2011 [1]
2009 [1]
2006 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
半导体物理 [2]
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
存缴方式:oaiharvest
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
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95
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Ferromagnetism in cubic InN:Mn nanocrystals induced by surface Mn atoms
期刊论文
OAI收割
rsc advances, RSC ADVANCES, 2014, 2014, 卷号: 4, 4, 期号: 82, 页码: 43582-43585, 43582-43585
作者:
Meng, XQ
;
Chen, ZH
;
Xia, QL
;
Chen, Z
;
Wu, FM
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/03/25
Enhancing structural transition by carrier and quantum confinement: Stabilization of cubic InN quantum dots by Mn incorporation
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 103, 103, 期号: 25, 页码: 253102, 253102
作者:
Meng, Xiuqing
;
Chen, Zhanghui
;
Chen, Zhuo
;
Wu, Fengmin
;
Li, Shu-Shen
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2014/05/08
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Determination of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 22, 页码: art. no. 222114
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Zhang B
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浏览/下载:198/0
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
indium compounds
semiconductor heterojunctions
semiconductor materials
valence bands
X-ray photoelectron spectra
High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279
Wu MF
;
Zhou SQ
;
Vantomme A
;
Huang Y
;
Wang H
;
Yang H
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浏览/下载:108/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
BAND-GAP
EPITAXIAL LAYERS
INDIUM NITRIDE
HEXAGONAL INN
CUBIC INN
GROWTH
PARAMETERS
INGAN
PHASE