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Epitaxial growth strategy for construction of Tm3+ doped and [hk1] oriented Sb2S3 nanorods S-scheme heterojunction with enhanced photoelectrochemical performance 期刊论文  OAI收割
Chemical Engineering Journal, 2023, 卷号: 475
作者:  Liu, Xinyang;  Zhang, Liyuan;  Jin, Wei;  Li, Qiujie;  Sun, Qian
  |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2023/10/30
Electron beam pumped non-c-plane UV emitters 专利  OAI收割
专利号: US10135227, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20
作者:  WUNDERER, THOMAS;  JOHNSON, NOBLE M.
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26
Polarization control in vertical cavity surface emitting lasers using off-axis epitaxy 专利  OAI收割
专利号: US20070098032A1, 申请日期: 2007-05-03, 公开日期: 2007-05-03
作者:  JOHNSON, RALPH H.
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31
110 oriented group iv-vi semiconductor structure, and method for making and using the same 专利  OAI收割
专利号: EP1714359A2, 申请日期: 2006-10-25, 公开日期: 2006-10-25
作者:  ZHISHENG, SHI
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor optical device and method of manufacturing the same 专利  OAI收割
专利号: US6990131, 申请日期: 2006-01-24, 公开日期: 2006-01-24
作者:  IGA, RYUZO;  KONDO, SUSUMU;  OGASAWARA, MATSUYUKI;  KONDO, YASUHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
Glancing-incidence X-ray analysis of ZnO thin films and ZnO/ZnMgO hetero structures grown by laser-MBE 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 123-128
作者:  Yang, XD;  Zhang, JW;  Bi, Z;  He, YN;  Xu, Q
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/08/15
Cubic MgxZn1-xO films grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割
journal of inorganic materials, 2003, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 1385-1388
作者:  Qiu, DJ;  Wu, HZ;  Chen, NB;  Tian, WJ
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/11/12
半導体量子井戸レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP2890505B2, 申请日期: 1999-02-26, 公开日期: 1999-05-17
作者:  岩田 普
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/24
化合物半導体薄膜結晶の成長方法 专利  OAI收割
专利号: JP2766645B2, 申请日期: 1998-04-03, 公开日期: 1998-06-18
作者:  杉山 直治;  上條 健;  山田 正理;  大木 芳正
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26
光半導体素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2725449B2, 申请日期: 1997-12-05, 公开日期: 1998-03-11
作者:  北村 光弘;  佐々木 達也
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