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机构
半导体研究所 [37]
采集方式
OAI收割 [37]
内容类型
期刊论文 [32]
会议论文 [5]
发表日期
2001 [37]
学科主题
半导体材料 [37]
筛选
浏览/检索结果:
共37条,第1-10条
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限定条件
发表日期:2001
学科主题:半导体材料
条数/页:
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Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 399-403
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:85/11
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
nitrides
semiconducting III-V materials
PHASE
FILMS
快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响(英文)
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 684
作者:
徐波
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提交时间:2010/11/23
Effect of ion-induced damage on GaNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 140-144
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:99/7
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
quantum wells
BAND-GAP ENERGY
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
GANXAS1-X
FILMS
X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate
期刊论文
OAI收割
thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Liu SA
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:102/13
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提交时间:2010/08/12
gallium nitride
X-ray diffraction
EPITAXY
RATIO
Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1132-1139
作者:
Xu B
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浏览/下载:143/9
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
laser diodes
WELL LASERS
立方相GaN/GaAs(001)外延层中六角相的分布特征
期刊论文
OAI收割
中国科学. E辑,技术科学, 2001, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 217
作者:
王玉田
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相
期刊论文
OAI收割
中国科学. A辑, 数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 562
作者:
王玉田
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2010/11/23
Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer
会议论文
OAI收割
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
low dimensional structures
molecular beam epitaxy
nanomaterials
INAS ISLANDS
GAAS
GROWTH
GAAS(100)
THICKNESS
DENSITY
Effect of as interstitial diffusionon on the properties of undoped semi-insulating LECGaAs
期刊论文
OAI收割
rare metals, 2001, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 187-191
Yang RX
;
Zhang FQ
;
Chen NF
收藏
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浏览/下载:90/3
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提交时间:2010/08/12
semi-insulating GaAs
intrinsic acceptor defects
As interstitial indiffusion
As pressure
annealing
SEMIINSULATING GAAS
Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:77/2
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
ELECTRON-PHONON INTERACTIONS
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
CARRIER TRANSFER
INAS
GAAS
LASERS
ISLANDS
GROWTH
GAIN