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  • 专利 [30]
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  • 2003 [30]
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Pre-fusion oxidized and wafer-bonded vertical cavity laser 专利  OAI收割
专利号: US6668005, 申请日期: 2003-12-23, 公开日期: 2003-12-23
作者:  STREUBEL, KLAUS
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US6643307, 申请日期: 2003-11-04, 公开日期: 2003-11-04
作者:  KOBAYASHI, YASUHIRO
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半導体素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3487785B2, 申请日期: 2003-10-31, 公开日期: 2004-01-19
作者:  菅原 章義
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질화물 벌크 단결정을 이용하는 발광 소자 구조 专利  OAI收割
专利号: KR200332762Y1, 申请日期: 2003-10-30, 公开日期: 2003-11-07
作者:  듀이린스키로버트;  도라진스키로만;  가르친스키저지;  시에르즈토브스키레젝;  간바라야스오
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一种激光器与光电开关集成的器件 专利  OAI收割
专利号: CN1124653C, 申请日期: 2003-10-15, 公开日期: 2003-10-15
作者:  林世明
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Group III nitride compound semiconductor device and group III nitride compound semiconductor light-emitting device 专利  OAI收割
专利号: US6617061, 申请日期: 2003-09-09, 公开日期: 2003-09-09
作者:  KOIKE, MASAYOSHI;  YAMASAKI, SHIRO
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面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3467593B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-17
作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明
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Stripe waveguide structure type semiconductor laser device and fabricating method therefor 专利  OAI收割
专利号: US20030152122A1, 申请日期: 2003-08-14, 公开日期: 2003-08-14
作者:  OHBUCHI, SYUZO
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窒化物半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP3454181B2, 申请日期: 2003-07-25, 公开日期: 2003-10-06
作者:  木戸口 勲;  大塚 信之;  伴 雄三郎
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Semiconductor device, surface emitting semiconductor laser and edge emitting semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US6597017, 申请日期: 2003-07-22, 公开日期: 2003-07-22
作者:  
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