机构

• 半导体研究所 [4]
• 上海硅酸盐研究所 [2]
• 微电子研究所 [1]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2011 [8]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 生物材料 [2]
• 光电子学 [1]
• 微电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2011     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Microstructure and properties of Ag/N dual ions implanted titanium 期刊论文  OAI收割 Surface & Coatings Technology, 2011, 卷号: 205, 页码: 5430-5436 Jinbo Li; 乔玉琴; Zhihong Ding; 刘宣勇 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/07/04 Wettability control by DLC coated nanowire topography 期刊论文  OAI收割 Nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 13 Zihui Li; 孟凡浩; 刘宣勇 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/07/04 A novel method to produce black silicon for solar cells 期刊论文  OAI收割 Solar Energy, 2011 作者:  Liu BW(刘邦武)   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/14 Contributions of N+, N-2(+), NO+ Ion Implantation to p-Type Conversion of ZnO:Al Films 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE, 2011, 卷号: 39, 页码: 711-716 作者:  Li, Zebin;  Liang, Rongqing;  Ou, Qiongrong;  Zhang, Shuyu;  He, Long   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/05/31 N-Al codoping  plasma immersion ion implantation (PIII)  p-type ZnO   Ordered InAs nanodots formed on the patterned GaAs substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113 Jin, L; Zhou, HY; Qu, SC; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：91/0  |  提交时间：2012/02/06 Patterned substrate  Ion implantation  Ordered nanodots  Anodic aluminum oxide  QUANTUM DOTS  ISLANDS  GROWTH  SEMICONDUCTORS  NANOSTRUCTURES  COMPUTATION  INGAAS   Infrared response of the lateral PIN structure of a highly titanium-doped silicon-on-insulator material 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 106104 Ma, ZH; Cao, Q; Zuo, YH; Zheng, J; Xue, CL; Cheng, BW; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/02/06 infrared response  ion implantation  rapid thermal annealing  intermediate band solar cell  PHOTODIODE   Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104 作者:  Yu F 收藏  |  浏览/下载：93/6  |  提交时间：2011/07/06 separation by oxygen implantation  buried oxide  nitrogen implantation  positive charge density  RADIATION HARDNESS  IMPLANTING NITROGEN  ION-IMPLANTATION  IMPROVEMENT  TECHNOLOGY  OXYGEN  LAYER   The impact of annealing temperature on the structural and magnetization properties of Sm implanted GaN films 期刊论文  OAI收割 materials letters, MATERIALS LETTERS, 2011, 2011, 卷号: 65, 65, 期号: 4, 页码: 667-669, 667-669 作者:  Sun LL;  Liu C;  Li JM;  Wang JX;  Yan FW   |  收藏  |  浏览/下载：63/7  |  提交时间：2011/07/05 Diluted magnetic semiconductors (DMSs)  Ion implantation  Room-temperature ferromagnetic properties  ROOM-TEMPERATURE  Diluted Magnetic Semiconductors (Dmss)  Ion implantatIon  Room-temperature Ferromagnetic Properties  Room-temperature