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  • 专利 [11]
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  • 2014 [11]
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Gallium nitride based laser dazzling device and method 专利  OAI收割
专利号: US8908731, 申请日期: 2014-12-09, 公开日期: 2014-12-09
作者:  RARING, JAMES W.;  RUDY, PAUL
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Group-III nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US8908732, 申请日期: 2014-12-09, 公开日期: 2014-12-09
作者:  UENO, MASAKI;  KATAYAMA, KOJI;  IKEGAMI, TAKATOSHI;  NAKAMURA, TAKAO;  YANASHIMA, KATSUNORI
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Laser diode device and method of manufacturing laser diode device 专利  OAI收割
专利号: US8891568, 申请日期: 2014-11-18, 公开日期: 2014-11-18
作者:  FUTAGAWA, NORIYUKI;  NAKAJIMA, HIROSHI;  YANASHIMA, KATSUNORI;  KYONO, TAKASHI;  ADACHI, MASAHIRO
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Group III nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating group III nitride semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: US8872156, 申请日期: 2014-10-28, 公开日期: 2014-10-28
作者:  YONEMURA, TAKUMI;  KYONO, TAKASHI;  ENYA, YOHEI
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Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer 专利  OAI收割
专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26
作者:  UENO, MASAKI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  NAKAMURA, TAKAO
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Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component 专利  OAI收割
专利号: US8711893, 申请日期: 2014-04-29, 公开日期: 2014-04-29
作者:  AVRAMESCU, ADRIAN STEFAN;  EICHLER, CHRISTOPH;  STRAUSS, UWE;  HAERLE, VOLKER
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Nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US8711892, 申请日期: 2014-04-29, 公开日期: 2014-04-29
作者:  HIGUCHI, YU
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Application-oriented nitride substrates for epitaxial growth of electronic and optoelectronic device structures 专利  OAI收割
专利号: US8699537, 申请日期: 2014-04-15, 公开日期: 2014-04-15
作者:  SHARMA, TARUN KUMAR;  TOWE, ELIAS
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半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: US8652893, 申请日期: 2014-02-18, 公开日期: 2013-04-04
作者:  陈大鹏;  殷华湘;  徐秋霞
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Nitride semiconductor structure 专利  OAI收割
专利号: US8652918, 申请日期: 2014-02-18, 公开日期: 2014-02-18
作者:  STRITTMATTER, ANDRE
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