中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2021 [8]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
限定条件
发表日期:2021
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Superior tunable photocatalytic properties for water splitting in two dimensional GeC/SiC van der Waals heterobilayers
期刊论文
OAI收割
SCIENTIFIC REPORTS, 2021, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 17739
作者:
Islam, Md Rasidul
;
Islam, Md Sherajul
;
Mitul, Abu Farzan
;
Mojumder, Md Rayid Hasan
;
Islam, A. S. M. Jannatul
;
Stampfl, Catherine
;
Park, Jeongwon
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2022/03/28
Centimeter-scale low-damage micromachining on single-crystal 4H-SiC substrates using a femtosecond laser with square-shaped Flat-Top focus spots
期刊论文
OAI收割
CERAMICS INTERNATIONAL, 2021, 卷号: 47, 期号: 16, 页码: 23134-23143
作者:
Long, Jiangyou
;
Peng, Qingfa
;
Chen, Gaopan
;
Zhang, Yuliang
;
Xie, Xiaozhu
;
Pan, Guoshun
;
Wang, Xiaofeng
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2022/05/18
Pulsed Laser Annealing of Phosphorous-Implanted 4H-SiC: Electrical and Structural Characteristics
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 卷号: 51, 期号: 1, 页码: 172-178
作者:
Wu, Jingmin
;
He, Zhi
;
Guo, Zhiyu
;
Tian, Run
;
Wang, Fengxuan
;
Liu, Min
;
Yang, Xiang
;
Fan, Zhongchao
;
Yang, Fuhua
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2022/05/19
Extraction of the Trench Sidewall Capacitances in an n-Type 4H-SiC Trench Metal-Oxide-Semiconductor Structure
期刊论文
OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 卷号: 68, 期号: 6, 页码: 2879-2885
作者:
Guo, Zhiyu
;
Wu, Jingmin
;
Tian, Run
;
Wang, Fengxuan
;
Xu, Pengfei
;
Yang, Xiang
;
Fan, Zhongchao
;
Yang, Fuhua
;
He, Zhi
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2022/05/19
Origin of hydrogen passivation in 4H-SiC
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW MATERIALS, 2021, 卷号: 5, 期号: 6, 页码: 64604
作者:
Cai, Xuefen
;
Yang, Yang
;
Deng, Hui-Xiong
;
Wei, Su-Huai
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2022/05/18
Directly Confirming the Z (1/2) Center as the Electron Trap in SiC Through Accessing the Nonradiative Recombination
期刊论文
OAI收割
PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2021, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 2100458
作者:
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2022/03/24
Simulations of monolayer SiC transistors with metallic 1T-phase MoS2 contact for high performance application
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 11, 页码: 117102
作者:
Xie, Hai-Qing
;
Wu, Dan
;
Deng, Xiao-Qing
;
Fan, Zhi-Qiang
;
Zhou, Wu-Xing
;
Xiang, Chang-Qing
;
Liu, Yue-Yang
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:68/0
  |  
提交时间:2022/03/28
Sol-Gel synthesis and characterization of SiC-B4C nano powder
期刊论文
OAI收割
CERAMICS INTERNATIONAL, 2021, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 6376-6387
作者:
Najafi, Abolhassan
;
Golestani-Fard, F.
;
Rezaie, H. R.
;
Saeb, Saviz Parsa
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2022/09/29