机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2009 [2]
• 2003 [1]
• 2001 [1]
• 2000 [2]
• 1998 [2]
• 1994 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [9]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：70/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   Enhancement of field emission of the ZnO film by the reduced work function and the increased conductivity via hydrogen plasma treatment 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 26, 页码: art. no. 262105 作者:  Zhang XW;  Yin ZG;  You JB 收藏  |  浏览/下载：99/13  |  提交时间：2010/03/08 atomic force microscopy  field emission  hydrogen  II-VI semiconductors  plasma materials processing  sputter deposition  wide band gap semiconductors  work function  zinc compounds   The micro-magnetic structures of Mn+ ion-implanted GaSb 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 6a, 页码: 3389-3391 Zhang FQ; Chen NF; Liu ZK; Chai CL; Yang SY; Yang JL; Wu JL; Lin LY; Callaghan FD; Li T; Foxton CT; Bates CA 收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2010/08/12 magnetic micro-structures  GaSb  MFM  magnetic domain  ion implantation  FORCE MICROSCOPE  SEMICONDUCTORS  GAMNAS   The effects of pre-irradiation on the formation of Si1-xCx alloys 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1329-1333 Wang YS; Li JM; Wang YB; Wang YT; Sun GS; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：83/9  |  提交时间：2010/08/12 ion implantation  solid phase epitaxy  Si1-xCx alloy  SI  IMPLANTATION  CARBON   Properties of proton-implanted p-type Si: supports for the models explaining a novel p-n junction in Si 期刊论文  OAI收割 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2000, 卷号: 160, 期号: 1, 页码: 190-193 Li JM; Gao M; Duan XF; Wang FL 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 silicon  ion implantation  electrical properties of semiconductors  defect  ION-IMPLANTATION  SILICON   The formation and characteristics of Si1-xCx alloys in Si crystals by means of implantation of cions with different doses 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2210-2213 Wang YS; Li JM; Jin YF; Wang YT; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 Si1-xCx alloy  ion implantation  solid phase epitaxy  CARBON   Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 期刊论文  OAI收割 revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  implantation  Ge ion  BF2 ion  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS  ELECTRICAL-PROPERTIES   Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 会议论文  OAI收割 14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRICAL-PROPERTIES  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS   RBS STUDIES OF THE LATTICE DAMAGE CAUSED BY 1 MEV SI+ IMPLANTATION INTO AL0.3GA0.7AS/GAAS SUPERLATTICES AT ELEVATED-TEMPERATURE 期刊论文  OAI收割 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1994, 卷号: 90, 期号: 0, 页码: 392-395 XU TB; ZHU PR; ZHOU JS; LI DQ; GONG B; WAN Y; MU SM; ZHAO QT; WANG ZL 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 ION-IMPLANTATION  AMORPHIZATION