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上海微系统与信息技术... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2006 [2]
2005 [2]
2004 [3]
1981 [1]
学科主题
Physics, M... [8]
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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学科主题:Physics, Multidisciplinary
内容类型:期刊论文
专题:上海微系统与信息技术研究所
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第一作者单位
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Total dose radiation tolerance of phase change memory cell with GeSbTe alloy
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2557-2559
Wu, LC
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, GM
;
Feng, SL
;
Chen, B
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
AMORPHOUS THIN-FILMS
RANDOM-ACCESS MEMORY
GE2SB2TE5 FILMS
ELECTRICAL-PROPERTIES
NONVOLATILE
GE20TE80-XBIX
IMPLANTATION
TEMPERATURE
TRANSITION
Study on the delamination of tungsten thin films on Sb2Te3
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS, 2006, 卷号: 15, 期号: 8, 页码: 1849-1854
Xu, JQ
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
PHASE-CHANGE
GE2SB2TE5 FILMS
STRESS
ADHESION
MICROSTRUCTURE
Phase transition phenomena in ultra-thin Ge2Sb2Te5 film
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1803-1805
Zhang, T
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Liu, WL
;
Feng, SL
;
Chen, B
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
OVONIC UNIFIED MEMORY
CRYSTALLIZATION
Characteristics of Sn-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase-change memory
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2929-2932
Xu, C
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
ION-BEAM METHOD
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
CELL-ELEMENT
RESISTANCE
IMPLANTATION
TRANSITION
ALLOYS
MEDIA
Novel material for nonvolatile ovonic unified memory (OUM)-Ag11In12Te26Sb51 phase change semiconductor
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 1167-1170
Liu, B
;
Song, ZT
;
Zhang, T
;
Feng, SL
;
Gan, FX
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提交时间:2012/03/24
AMORPHOUS THIN-FILMS
OPTICAL DISK
TELLURIDE GLASSES
HIGH-DENSITY
CRYSTALLIZATION
TRANSITION
GE20TE80-XBIX
AG
Effect of annealing temperature on the microstructure and resistivity of Ge2Sb2Te5 films
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 1143-1146
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
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提交时间:2012/03/24
REVERSIBLE PHASE-TRANSITION
AMORPHOUS THIN-FILMS
ELECTRICAL-PROPERTIES
TELLURIDE GLASSES
MEMORY
CRYSTALLIZATION
SEMICONDUCTORS
GE20TE80-XBIX
Structure and electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin film used for Ovonic unified memory
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 741-743
Zhang, T
;
Liu, B
;
Xia, JL
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
REVERSIBLE PHASE-TRANSITION
TELLURIDE GLASSES
CRYSTALLIZATION
SEMICONDUCTORS
GE20TE80-XBIX
A CRYSTALLOGRAPHIC INVESTIGATION ON THE ONE-DIMENSIONAL TRANSITION PHASE BETA-'-2 IN AN AGED MG-ZN ALLOY
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS, 1981, 卷号: 1, 期号: 2, 页码: 292-301
SU,QW
;
XU,SS
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提交时间:2012/03/25