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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Enhancing the quantum efficiency of InGaN yellow-green light-emitting diodes by growth interruption 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 7 Du, CH; Ma, ZG; Zhou, JM; Lu, TP; Jiang, Y; Zuo, P; Jia, HQ; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2015/04/14 Neutron spin resonance as a probe of the superconducting energy gap of BaFe1.9Ni0.1As2 superconductors 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2010, 卷号: 81, 期号: 18 Zhao, J; Regnault, LP; Zhang, CL; Wang, MY; Li, ZC; Zhou, F; Zhao, ZX; Fang, C; Hu, JP; Dai, PC 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/24 PAIRING SYMMETRY  BA0.6K0.4FE2AS2   Suppressing the multimodal size distribution of InAs/GaAs quantum dots through flattening the surface fluctuation 期刊论文  OAI收割 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2010, 卷号: 53, 期号: 5, 页码: 788 Wang, L; Li, MC; Wang, WX; Gao, HC; Tian, HT; Xiong, M; Zhao, LC 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/24 Effect of GaAs/GaSb combination strain-reducing layer on self-assembled InAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2649 Jiang, ZW; Wang, WX; Gao, HC; Li, H; Yang, CL; He, T; Wu, DZ; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/17 NARROW PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GROWTH INTERRUPTION  MU-M  PRESSURE  DENSITY  REGION  SB   Influence of interface interruption on spin relaxation in GaAs (110) quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 301, 页码: 93 Liu, LS; Wang, WX; Li, ZH; Liu, BL; Zhao, HM; Wang, J; Gao, HC; Jiang, ZW; Liu, S; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/09/17 Influence of the deposition time of barrier layers on optical and structural properties of high-efficiency green-light-emitting InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 96, 期号: 4, 页码: 1899 Zheng, XH; Chen, H; Yan, ZB; Li, DS; Yu, HB; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/17 GROWTH INTERRUPTION  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  EMISSION  INTERFACE  EXCITONS  DIODES  LOCALIZATION  DEPENDENCE  THICKNESS   InGaN quantum dot photodetectors 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2003, 卷号: 47, 期号: 10, 页码: 1753 Ji, LW; Su, YK; Chang, SJ; Liu, SH; Wang, CK; Tsai, ST; Fang, TH; Wu, LW; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/18 LIGHT-EMITTING-DIODES  ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS  WELL BLUE  GAN  SI  CONTACTS  EMISSION  GROWTH  NOISE  LASER   Effects of TMIn flow rate of barrier layer on the optical and structural properties of InxGa1-xN/InyGa1-yN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 326 Zheng, XH; Chen, H; Yan, ZB; Yu, HB; Li, DS; Han, YJ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 GROWTH INTERRUPTION  LOCALIZED EXCITONS  TEMPERATURE  EMISSION  DEPENDENCE  INTERFACE  THICKNESS  GAP   Growth of nanoscale InGaN self-assembled quantum dots 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 144 Ji, LW; Su, YK; Chang, SJ; Wu, LW; Fang, TH; Chen, JF; Tsai, TY; Xue, QK; Chen, SC 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN  SURFACES  DIODES   Epitaxial growth and electric characteristics of SrMoO3 thin films 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, 2001, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 930 Wang, HH; Yang, GZ; Cui, DF; Lu, HB; Zhao, T; Chen, F; Zhou, YL; Chen, ZH; Lan, YC; Ding, Y; Chen, L; Chen, XL; Liang, JK 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/17