机构

• 半导体研究所 [11]

采集方式

• OAI收割 [8]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2009 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [3]
• 2004 [2]
• 1999 [3]
• 1998 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [7]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Synthesis and characterization of glomerate gan nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 6 作者:  Qin,Lixia;  Xue,Chengshan;  Duan,Yifeng;  Shi,Liwei 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanowires  Magnetron sputtering  Alloy mechanism   MOCVD-grown high-mobility Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure on sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 791-793 Wang XL (Wang Xiaoliang); Wang CM (Wang Cuimei); Hu GX (Hu Guoxin); Mao HL (Mao Hongling); Fang CB (Fang Cebao); Wang JX (Wang Junxi); Ran JX (Ran Junxue); Li HP (Li Hanping); Li JM (Li Jinmin); Wang ZG (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/03/29 2DEG   Study on surface morphology of gan growth by mocvd on gan/si(111) template 期刊论文  iSwitch采集 Journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 页码: 11-13 作者:  Liu, Z;  Wang, JX;  Wang, XL;  Hu, GX;  Guo, LC 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Surface morphology  Gan/si template  Gan  Mocvd   Study on surface morphology of GaN growth by MOCVD on GaN/Si(111) template 会议论文  OAI收割 3rd asian conference on crystal growth and crystal technology (cgct-3), beijing, peoples r china, oct 16-19, 2005 Liu, Z; Wang, JX; Wang, XL; Hu, GX; Guo, LC; Liu, HX; Li, JP; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：222/40  |  提交时间：2010/03/29 surface morphology   Study on surface morphology of GaN growth by MOCVD on GaN/Si(111) template 期刊论文  OAI收割 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 40495 Liu Z; Wang JX; Wang XL; Hu GX; Guo LC; Liu HX; Li JP; Li JM; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 surface morphology  GaN/Si template  GaN  MOCVD  ALLOYS  MOVPE   Crack-free inalgan quaternary alloy films grown on si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85 作者:  Wu, JJ;  Li, DB;  Lu, Y;  Han, XX 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Cracks  Si(111) substrate  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan  Inalgan   Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85 Wu, JJ; Li, DB; Lu, Y; Han, XX; Li, JM; Wei, HY; Kang, TT; Wang, XH; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2010/03/17 cracks   Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 会议论文  OAI收割 40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 bimodal distribution  photoluminescence (PL)  quantum-size effect  GE  ENSEMBLES  SI(100)  GROWTH  SHAPE   Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 期刊论文  OAI收割 journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 528-531 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 bimodal distribution  photoluminescence (PL)  quantum-size effect  ENSEMBLES  SI(100)  GROWTH  SHAPE  GE   Red luminescence from self-assembled InAlAs AlGaAs quantum dots with bimodal size distribution 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 298-300 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 PHOTOLUMINESCENCE  GE  TEMPERATURE  ENSEMBLES  SI(100)  GROWTH  SHAPE