机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• iSwitch采集 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2004 [8]

学科主题

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    发表日期：2004    内容类型：期刊论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Reduction of tensile stress in gan grown on si(111) by inserting a low-temperature aln interlayer 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 316-321 作者:  Zhang, BS;  Wu, M;  Liu, JP;  Chen, J;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitride  Semiconductor iii-v materials   A study of the degree of relaxation of algan epilayers on gan template 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 289-294 作者:  Zhang, JC;  Wu, MF;  Wang, JF;  Liu, JP;  Wang, YT 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 High resolution x-ray diffraction  Rutherford backscattering/channeling  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitrides  Semiconducting gallium compounds   Indium mole fraction effect on the structural and optical properties of quaternary alingan epilayers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2004, 卷号: 37, 期号: 15, 页码: 2060-2063 作者:  Liu, JP;  Jin, RQ;  Zhang, JC;  Wang, JF;  Wu, M 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 The influence of aln buffer layer thickness on the properties of gan epilayer 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 24-29 作者:  Zhang, JC;  Zhao, DG;  Wang, JF;  Wang, YT;  Chen, J 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Buffer layer  Line defects  X-ray diffraction  Metalorganic chemical vapor deposition  Gallium compounds  Nitrides   Investigations on v-defects in quaternary alingan epilayers 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 26, 页码: 5449-5451 作者:  Liu, JP;  Wang, YT;  Yang, H;  Jiang, DS;  Jahn, U 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of trimethylgallium flow on the structural and optical properties of ingan/gan multiple quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied crystallography, 2004, 卷号: 37, 页码: 391-394 作者:  Zhang, JC;  Wang, JF;  Wang, YT;  Wu, M;  Liu, JP 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of tmin flow on the interface and optical properties of ingan/gan mutiple quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 53-57 作者:  Liu, JP;  Jin, RQ;  Zhu, JJ;  Zhang, JC;  Wang, JF 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 High-resolution x-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  Multiple quantum wells  Nitrides   Structural and optical properties of quaternary alingan epilayers grown by mocvd with various tmga flows 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 388-393 作者:  Liu, JP;  Zhang, BS;  Wu, M;  Li, DB;  Zhang, JC 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Triple-axis x-ray diffraction  Atomic force microscopy  Metalorganic chemical vapor deposition  Alingan quaternary alloys