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半导体研究所 [12]
采集方式
OAI收割 [12]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2020 [12]
学科主题
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浏览/检索结果:
共12条,第1-10条
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发表日期:2020
专题:半导体研究所
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第一作者单位
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条数/页:
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High-Frequency Switching Properties and Low Oxide Electric Field and Energy Loss in a Reverse-Channel 4H-SiC UMOSFET
期刊论文
OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 卷号: 67, 期号: 10, 页码: 4046-4053
作者:
Zhanwei Shen
;
Feng Zhang
;
Member
;
IEEE
;
Guoguo Yan
;
Zhengxin Wen
;
Wanshun Zhao
;
Lei Wang
;
Xingfang Liu
;
Guosheng Sun
;
Yiping Zeng
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提交时间:2021/05/24
Effects of annealing on the interfacial properties and energy-band alignment of AlN dielectric on 4H–SiC
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 117, 期号: 10, 页码: 102105
作者:
Zhanwei Shen
;
Feng Zhang
;
Jun Chen
;
Zhao Fu
;
Xingfang Liu
;
Guoguo Yan
;
Bowen Lv
;
Yinshu Wang
;
Lei Wang
;
Wanshun Zhao
;
Guosheng Sun
;
Yiping Zeng
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2021/05/25
Recent research progress of ferroelectric negative capacitance field effect transistors
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2020, 卷号: 69, 期号: 13, 页码: 137701
作者:
Chen Jun-Dong
;
Han Wei-Hua
;
Yang Chong
;
Zhao Xiao-Song
;
Guo Yang-Yan
;
Zhang Xiao-Di
;
Yang Fu-Hua
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提交时间:2021/06/28
Highly Sensitive InSb Nanosheets Infrared Photodetector Passivated by Ferroelectric Polymer
期刊论文
OAI收割
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2020, 卷号: 30, 期号: 51, 页码: 2006156
作者:
Shukui Zhang
;
Hanxue Jiao
;
Xudong Wang
;
Yan Chen
;
Hailu Wang
;
Liqing Zhu
;
Wei Jiang
;
Jingjing Liu
;
Liaoxin Sun
;
Tie Lin
;
Hong Shen
;
Weida Hu
;
Xiangjian Meng
;
Dong Pan
;
Jianlu Wang
;
Jianhua Zhao
;
Junhao Chu
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提交时间:2021/05/24
All‐Dielectric Nanostructure Fabry–Pérot‐Enhanced Mie Resonances Coupled with Photogain Modulation toward Ultrasensitive In2S3 Photodetector
期刊论文
OAI收割
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2020, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 2007987
作者:
Jianting Lu
;
Jiahao Yan
;
Jiandong Yao
;
Zhaoqiang Zheng
;
Bijun Mao
;
Yu Zhao
;
Jingbo Li
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提交时间:2021/05/24
Threshold switching synaptic device with tactile memory function
期刊论文
OAI收割
Nano Energy, 2020, 卷号: 76, 页码: 105109
作者:
Depeng Wang
;
Lili Wang
;
Wenhao Ran
;
Shufang Zhao
;
Ruiyang Yin
;
Yongxu Yan
;
Kai Jiang
;
Zheng Lou
;
Guozhen Shen
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提交时间:2021/05/24
Investigation of the distribution of deep levels in 4H-SiC epitaxial wafer by DLTS with the method of decussate sampling
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125352
作者:
Yawei He
;
Guoguo Yan
;
Zhanwei Shen
;
Wanshun Zhao
;
Lei Wang
;
Xingfang Liu
;
Guosheng Sun
;
Feng Zhang
;
Yiping Zeng
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提交时间:2021/12/20
Defect appearance on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125359
作者:
X.F. Liu
;
G.G. Yan
;
L. Sang
;
Y.X. Niu
;
Y.W. He
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
M. Guan
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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提交时间:2021/11/26
Effect of C/Si ratio on growth of 4H-SiC epitaxial layers on on-axis and 4° off-axis substrates
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125362
作者:
G.G. Yan
;
Y.W. He
;
Z.W. Shen
;
Y.X. Cui
;
J.T. Li
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
X.F. Liu
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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提交时间:2021/11/26
The Optical Properties of Dual-Wavelength InxGa1−xN/GaN Nanorods for Wide-Spectrum Light-Emitting Diodes
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF ELECTRONIC PACKAGING, 2020, 卷号: 142, 期号: 3, 页码: 031104
作者:
Jie Zhao
;
Xuecheng Wei
;
Dongdong Liang
;
Qiang Hu
;
Jianchang Yan
;
Junxi Wang
;
Tongbo Wei
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提交时间:2021/05/25