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• 近代物理研究所 [12]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 会议论文  OAI收割 作者:  Yan, Weiwei;  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/08/20 Heavy ion irradiation  Single event upset  Active delay element  SRAM cell  Radiation hardened  Silicon-on-insulator   Lattice disorder produced in GaN by He-ion implantation 会议论文  OAI收割 作者:  Luo, Peng;  Sheng, Yanbin;  Zhang, Hongpeng;  Zhang, Li;  Fang, Xuesong   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/08/20 He-ion implantation  GaN  Microstructure  Lattice disorder  Lattice strain   Lattice disorder produced in GaN by He-ion implantation 会议论文  OAI收割 作者:  Luo, Peng   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/08/20 He-ion implantation  GaN  Microstructure  Lattice disorder  Lattice strain   Progress of Jinping Underground laboratory for Nuclear Astrophysics (JUNA) 会议论文  OAI收割 作者:  Liu, WeiPing;  Li, ZhiHong;  He, JiangJun;  Tang, XiaoDong;  Lian, Gang   |  收藏  |  浏览/下载：141/0  |  提交时间：2018/08/20 Supply Voltage Dependence of Single Event Upset Sensitivity in Diverse SRAM Devices 会议论文  OAI收割 作者:  Su, Hong;  Zhang, Zhangang;  Lei, Zhifeng;  En, Yunfei;  Huang, Yun   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2018/08/20 single event upset  supply voltage  static random access memeory  critical charge   Supply Voltage Dependence of Single Event Upset Sensitivity in Diverse SRAM Devices 会议论文  OAI收割 作者:  Liu, Tianqi;  Ji, CY;  En, YF;  Huang, Yun;  En, Yunfei   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/08/20 single event upset  supply voltage  static random access memeory  critical charge   Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文  OAI收割 作者:  Liu, Tianqi;  Geng, Chao;  Zhang, Zhangang;  Zhao, Fazhan;  Hou, Mingdong   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/08/20 Single event upset  temperature dependence  energy deposition  Monte Carlo simulation  SRAM  heavy ions  bulk and SOI technologies   Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文  OAI收割 作者:  Liu, Jie;  Sun, Youmei;  Tong, Teng;  Zhao, Fazhan;  Zhang, Zhangang   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/08/20 Single event upset  temperature dependence  energy deposition  Monte Carlo simulation  SRAM  heavy ions  bulk and SOI technologies   ANALYSIS OF BEAM QUALITY OPTIMIZATION OF BUCKET ION SOURCE 会议论文  OAI收割 Lanzhou, 2010-09-06 Ya-hong Xie#; Chun-dong Hu; Li-zhen Liang; Sheng Liu; Yuan-lai Xie; Cai-chao Jiang; Jun LI; Zhi-min Liu   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2011/07/12 Bucket Ion Source  High Energy  Beam Source