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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：力学研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Improvement of the thermal design in the SiC PVT growth process 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2014, 卷号: 385, 页码: 34-37 作者:  Yan JY(颜君毅);  Chen QS(陈启生);  Jiang YN(姜燕妮);  Zhang H 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2014/02/13 Fluid flows  Mass transfer  Growth from vapor  Semiconducting silicon compounds   Modeling on ammonothermal growth of GaN semiconductor crystals 期刊论文  OAI收割 PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS, 2012, 卷号: 58, 期号: 2-3, 页码: 61-73 作者:  Chen QS(陈启生);  Yan JY(颜君毅);  Jiang YN(姜燕妮);  Li W(李炜);  Chen, QS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2013/01/18 GaN crystal  Baffle opening  Ammonothermal growth  Mass transfer  Gallium Nitride  Supercritical Ammonia  Single-Crystals  Transport  Seed   磁场对双扩散液层热毛细对流的影响 期刊论文  OAI收割 力学学报, 2012, 卷号: 44, 期号: 3, 页码: 481-486 作者:  李炜;  姜燕妮;  颜君毅;  陈启生 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/01/16 热毛细对流  磁场  双扩散  水平温度梯度   SiC晶体生长中流场的优化设计 期刊论文  OAI收割 工程热物理学报, 2011, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 308-311 作者:  颜君毅;  陈启生;  姜燕妮;  李炜 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/01 碳化硅晶体  PVT法  场协同  浓度场  流场   Modeling of ammonothermal growth processes of GaN crystal in large-size pressure systems 期刊论文  OAI收割 Research on Chemical Intermediates, 2011, 卷号: 37, 期号: 2-5, 页码: 467-477 作者:  Chen QS(陈启生);  Jiang YN(姜燕妮);  Yan JY(颜君毅);  Li W(李炜);  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/04/01 Gan  Ammonothermal Growth  Baffle Opening  Fluid Flow  Thermal Fields  Gallium Nitride   氨热法生长氮化镓晶体中传热传质的研究 期刊论文  OAI收割 工程热物理学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 1552-1554 作者:  姜燕妮;  陈启生;  李炜;  颜君毅 收藏  |  浏览/下载：1101/197  |  提交时间：2010/05/03 氨热法  氮化镓  温度场和流场   Progress In Modeling Of Fluid Flows In Crystal Growth Processes 期刊论文  OAI收割 Progress In Natural Science, 2008, 页码: 1465-1473 作者:  Chen QS(陈启生);  Jiang YN(姜燕妮);  Yan JY(颜君毅) 收藏  |  浏览/下载：723/52  |  提交时间：2009/08/03 Modeling  Crystal Growth  Fluid Flow  Czochralski Growth  Ammonothermal Growth  Physical Vapor Transport  Transverse Magnetic-Field  Physical-Vapor Transport  Sic-Bulk Growth  Silicon Czochralski Furnace  Thermal-Capillary Analysis  Radiative Heat-Transfer  Sublimation Growth  Numerical-Simulation  Ammonothermal Growth  Oxygen Distribution   Application of Flow-Kinetics Model To the Pvt Growth of Sic Crystals 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 303, 期号: 1, 页码: 357-361 作者:  Chen QS(陈启生);  Yan JY(颜君毅);  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/01/11 fluid flows  growth models  growth from vapor  single-crystal growth  semiconducting silicon compounds