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机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2006 [1]
2004 [1]
2001 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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限定条件
学科主题:半导体物理
内容类型:会议论文
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Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z
会议论文
OAI收割
conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
收藏
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浏览/下载:182/36
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提交时间:2010/03/29
GaInNAs/GaAs quantum wells
optical properties
nonradiative recombination effect
time-resolved photoluminescence
PL decay dynamics
PL thermal quenching
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
EXCITATION
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
OAI收割
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
GaAsSb/GaAs
GAAS
LASERS
GAIN
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
OAI收割
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting IIIV materials
LUMINESCENCE
GAASN