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采集方式

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内容类型

• 期刊论文 [14]
• 专利 [1]

发表日期

• 2021 [2]
• 2018 [1]
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• 2010 [1]
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学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Dual-band solar-blind UV photodetectors based on AlGaN/AlN superlattices 期刊论文  OAI收割 Materials Letters, 2021, 卷号: 291 作者:  Y. Chen;  X. Zhou;  Z. Zhang;  G. Miao;  H. Jiang   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2022/06/13 Annihilation and Regeneration of Defects in (11(2)over-bar2) Semipolar AlN via High-Temperature Annealing and MOVPE Regrowth 期刊论文  OAI收割 CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2021, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 2911-2919 作者:  Chen, Li;  Lin, Wei;  Chen, Hangyang;  Xu, Houqiang;  Guo, Chenyu   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2021/12/01 SAPPHIRE  GROWTH  SUPERLATTICES  QUALITY  ALGAN  AIN   AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes on sputter- deposited AlN templates with epitaxial AlN/AlGaN superlattices 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 713-719 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/11/18 Dislocation Behavior in AlGaN/GaN Multiple Quantum-Well Films Grown with Different Interlayers 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 9 Sun, HH; Guo, FY; Li, DY; Wang, L; Zhao, DG; Zhao, LC 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/17 INCLINED THREADING DISLOCATIONS  INTERSUBBAND TRANSITIONS  RELAXATION  LAYERS   Intersubband absorption properties of high Al content AlxGa1-xN/GaN multiple quantum wells grown with different interlayers by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 卷号: 7, 页码: 1 Sun, HH; Guo, FY; Li, DY; Wang, L; Wang, DB; Zhao, LC 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/09/18 MU-M  STRAIN RELAXATION  WAVELENGTH RANGE  GAN/ALGAN  SUPERLATTICES  GAN  TRANSITIONS  DISLOCATIONS  ALN/GAN  MOCVD   Effect of aln buffer thickness on gan epilayer grown on si(1 1 1) 期刊论文  iSwitch采集 Materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, CuiMei 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Mocvd  Si(111)  Aln   Growth and character stics of AlGaN/GaN HEMT structures with AlN/GaN superlattices as barrier layers 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 卷号: 59, 期号: 8, 页码: 5724 Ding, GJ; Guo, LW; Xing, ZG; Chen, Y; Xu, PQ; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/17 2-DIMENSIONAL ELECTRON GASES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PIEZOELECTRIC POLARIZATION  ALN/ALGAN SUPERLATTICES  GA-FACE  HETEROSTRUCTURES  MOBILITY  SAPPHIRE  CHARGES   Growth and characterization of algan/gan heterostructure using unintentionally doped aln/gan superlattices as barrier layer 期刊论文  iSwitch采集 Superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59 作者:  Zhang, M. L.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Yang, C. B. 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan heterostructure  Superlattices (sls)  Root mean square roughness (rms)  Sheet resistance   Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59 作者:  Zhang, M. L.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Yang, C. B.   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/02/02 AlGaN/GaN heterostructure  Superlattices (SLs)  Root mean square roughness (RMS)  Sheet resistance   Mobility enhancement of 2DEG in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structure using vicinal (0001) sapphire 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 812-816 Hu W. G.; Ma B.; Li D. B.; Narukawa M.; Miyake H.; Hiramatsu K. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/10/21