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浏览/检索结果: 共78条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of charge coupling on breakdown voltage of high voltage trench-gate-type super barrier rectifier 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70 作者:  Xu Da-Lin;  Wang Yu-Qi;  Li Xin-Hua;  Shi Tong-Fei   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2021/04/26 trench-gate-type super barrier rectifier  charge coupling  breakdown voltage  stepped oxide   Development of a DC bias structure with reduced RF leakage for suppressing the multipacting effect in the high power coaxial couplers 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 卷号: 988, 页码: 8 作者:  Lin, Zeqiang;  Jiang, Tiancai;  Huang, Shichun;  Huang, Yulu;  Gao, Zheng   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2021/12/10 Power coupler  RF leakage  DC Bias  Blocking effect  Equivalent circuits   Novel Detector Module for Nuclear Medicine Imaging 影音  OAI收割 2018, 作者:  Mokhtar Chmeissani   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/04/18 创新论坛 286期   Interface Modulation and Optimization of Electrical Properties of HfGdO/GaAs Gate Stacks by ALD-Derived Al2O3 Passivation Layer and Forming Gas Annealing 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 9 作者:  Jiang, Shanshan;  He, Gang;  Liu, Mao;  Zhu, Li;  Liang, Shuang   |  收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2019/06/10 electrical properties  forming gas annealing  high-k gate dielectrics  interface chemistry  metal-oxide-semiconductor capacitors   Performance Analysis of Microwave Humidity and Temperature Sounder Onboard the FY-3D Satellite From Prelaunch Multiangle Calibration Data in Thermal/Vacuum Test 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Geoscience and Remote Sensing, 2018 作者:  Wang, Zhenzhan;  Li, Jiaoyang;  He, Jieying;  Zhang, Shengwei;  Gu, Songyan   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/10/30 Modulation of interfacial and electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ammonium sulfide passivation and rapid thermal annealing 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 704, 期号: 无, 页码: 322-328 作者:  Jiang, S. S.;  He, G.;  Liang, S.;  Zhu, L.;  Li, W. D. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/04 High-k Gate Dielectrics  Interface Chemistry  Xps Electrical Properties  Cmos Devices   An Increase in TDDB Lifetime of Partially Depleted SOI Devices Induced by Proton Irradiation 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 34, 期号: 7, 页码: 181-184 作者:  Ma, T (Ma, Teng);  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen);  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei);  Zhou, H (Zhou, Hang);  Su, DD (Su, Dan-Dan)   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/12/14 A 0.5-v novel complementary current-reused cmos lna for 2.4 ghz medical application 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2016, 卷号: 55, 页码: 64-69 作者:  Dai, Ruofan;  Zheng, Yunlong;  He, Jun;  Liu, Guojun;  Kong, Weiran 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/09 Low voltage  Lna  Modified complementary current-reused  Diode connected mosfet bias  Forward body-bias  Harmonic rejection   Microstructure, optical and electrical properties of sputtered HfFiO high-k gate dielectric thin films 期刊论文  OAI收割 CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 11640-11649 作者:  Jiang, S. S.;  He, G.;  Gao, J.;  Xiao, D. Q.;  Jin, P. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/10/18 Electrical Properties  High-k Gate Dielectrics  Metal-oxide-semiconductor  Conduction Mechanisms  Sputtering   Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 7 作者:  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Wang, HN (Wang Han-Ning);  Zhou, H (Zhou Hang);  Yu, DZ (Yu De-Zhao) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/12/12 total ionizing dose effects  deep sub-micron  metal oxide semiconductor field effect transistor  static random access memory