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学科主题

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浏览/检索结果: 共40条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Curie temperatures of cubic (Ga, Mn)N diluted magnetic semiconductors from the RKKY spin model 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2009, 卷号: 21, 期号: 44 Zhu, LF; Liu, BG 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  T-C  ROOM-TEMPERATURE  GALLIUM NITRIDE  001 SILICON  THIN-FILMS  FERROMAGNETISM  GAN  (GA  GROWTH  MN)AS   Effect of growth conditions on the gan thin film by sputtering deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 299, 期号: 2, 页码: 268-271 作者:  Zhang, C. G.;  Bian, L. F.;  Chen, W. D.;  Hsu, C. C. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Phase equilibria  Radio-frequency magnetron sputtering  Sputtering  Gallium compounds  Gallium nitride  Semiconducting gallium compounds  Semiconducting iii-v materials   Effect of growth conditions on the GaN thin film by sputtering deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 299, 期号: 2, 页码: 268-271 Zhang CG; Bian LF; Chen WD; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/29 phase equilibria   Selective area growth of gan on gaas(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13 作者:  Shen, XM;  Feng, G;  Zhang, BS;  Duan, LH;  Wang, YT 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Scanning electron microscopy  X-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  Selective area growth  Gallium nitride   Formation of high quality gallium nitride thin films on ga-diffused si(111) substrate 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2003, 卷号: 210, 期号: 3-4, 页码: 153-157 作者:  Xue, CS;  Yang, L;  Wang, CM;  Zhuang, HZ;  Wei, QQ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Ga2o3  Gan  R.f. magnetron sputtering  Ammoniating   GaN nanotweezers 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2003, 卷号: 76, 期号: 1, 页码: 115 Li, ZJ; Chen, XL; Dai, L; Li, HJ; Liu, HW; Gao, HJ; Xu, YP 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/17 GALLIUM NITRIDE NANOWIRES  GROWTH  BLUE  TEMPERATURE  CHEMISTRY  PHYSICS  ROUTE   Selective area growth of GaN on GaAs(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13 Shen XM; Feng G; Zhang BS; Duan LH; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 scanning electron microscopy  X-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  selective area growth  gallium nitride  CUBIC GAN  OVERGROWN GAN  DEPOSITION  GAAS(100)   Structural characterization of epitaxial lateral overgrown gan on patterned gan/gaas(001) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72 作者:  Shen, XM;  Fu, Y;  Feng, G;  Zhang, BS;  Feng, ZH 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Transmission electron microscopy  X-ray diffraction  Epitaxial lateral overgrowth  Metalorganic vapor phase epitaxy  Cubic gallium nitride   Formation of gan film by ammoniating ga2o3 deposited on si substrate with electrophoresis 期刊论文  iSwitch采集 International journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4267-4270 作者:  Yang, L;  Xue, CS;  Zhuang, HZ;  Li, HX;  Wei, QQ 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Ecr plasma in growth of cubic gan by low pressure mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Plasma chemistry and plasma processing, 2002, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 159-174 作者:   收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Ecr plasma  Cubic gan  Low pressure mocvd