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宽禁带半导体物理
期刊论文
OAI收割
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者:
申德振
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提交时间:2022/06/29
All-MBE grown InAs/GaAs quantum dot lasers with thin Ge buffer layer on Si substrates
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 35103
作者:
Yang, Junjie
;
Liu, Zizhuo
;
Jurczak, Pamela
;
Tang, Mingchu
;
Li, Keshuang
;
Pan, Shujie
;
Sanchez, Ana
;
Beanland, Richard
;
Zhang, Jin-Chuan
;
Wang, Huan
;
Liu, Fengqi
;
Li, Zhibo
;
Shutts, Samuel
;
Smowton, Peter
;
Chen, Siming
;
Seeds, Alwyn
;
Liu, Huiyun
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提交时间:2022/11/03
稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
雷琪琪
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提交时间:2020/11/19
稀氮
Ga(In)AsN材料
光致发光
辐射损伤效应
退火
InGaAs单结太阳电池辐射效应机理研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
慎小宝
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提交时间:2019/07/15
In0.53Ga0.47As单结太阳电池
高注量电子
低能质子
位移损伤
退火效应
在Ge 衬底上生长GaAs 外延薄膜的方法
专利
OAI收割
申请日期: 2018-08-28,
作者:
贾少鹏,何巍,陆书龙
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提交时间:2019/04/01
GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结级联太阳电池及其制作方法
专利
OAI收割
申请日期: 2018-04-24,
作者:
陈俊霞,任昕,边历峰,陆书龙,贾少鹏,王青松,王鑫
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提交时间:2019/04/01
正向晶格失配三结GaAs太阳电池辐射效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者:
李占行
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提交时间:2017/09/26
晶格失配
位移损伤效应
位移损伤剂量
非电离能损
辐照退化
Latest progress in hydrogen production from solar water splitting via photocatalysis, photoelectrochemical, and photovoltaic-photoelectrochemical solutions
期刊论文
OAI收割
CHINESE JOURNAL OF CATALYSIS, 2017, 卷号: 38, 期号: 1, 页码: 5-12
作者:
Li, Rengui
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提交时间:2019/06/20
Solar Energy Utilization
Photocatalysis
Water Splitting For Hydrogen Production
Charge Separation
latestprogressinhydrogenproductionfromsolarwatersplittingviaphotocatalysisphotoelectrochemicalandphotovoltaicphotoelectrochemicalsolutions
期刊论文
OAI收割
催化学报, 2017, 卷号: 038, 期号: 001, 页码: 5
作者:
Li Rengui
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提交时间:2019/12/02
三结级联太阳能电池及其制备方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN103311353B, 申请日期: 2016-09-07, 公开日期: 2014-11-27
作者:
于淑珍
;
董建荣
;
李奎龙
;
孙玉润
;
曾徐路
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提交时间:2014/11/27