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浏览/检索结果: 共639条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响 期刊论文  OAI收割 光子学报, 2023, 卷号: 52, 期号: 6 作者:  郭可飞;  尹飞;  刘立宇;  乔凯;  李鸣   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2023/11/03 雪崩光电二极管  InGaAs/InP  Zn扩散  单光子探测  雪崩击穿概率   InGaAs/InP 单光子雪崩光电二极管阵列器件设计与制备 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院大学, 2023 作者:  郭可飞   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2023/07/26 单光子探测  单光子雪崩光电二极管阵列  InGaAs/InP  Zn 扩散  雪崩击穿概率   Optimized Selective-Area p-Type Diffusion for the Back-Illuminated Planar InGaAs/InP Avalanche Photodiodes by a Single Diffusion Process 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2022, 卷号: 219, 期号: 2, 页码: 6 作者:  Y. R. Chen;  Z. W. Zhang;  G. Q. Miao;  H. Jiang and H. Song   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2022/06/13 磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297 作者:  周书星1;  方仁凤1;  魏彦锋1;  陈传亮1;  曹文彧1   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2022/02/18 磷化铟高电子迁移率晶体管  二维电子气  电子束辐照  辐射加固   A comparative study of front- and back-illuminated planar InGaAs/InP avalanche photodiodes 期刊论文  OAI收割 Materials Letters, 2022, 卷号: 308, 期号: 4 作者:  Y. R. Chen;  Z. W. Zhang;  G. Q. Miao;  H. Jiang and H. Song   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2022/06/13 64×64 InGaAs InP单光子探测雪崩焦平面阵列芯片的研究 学位论文  OAI收割 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者:  王帅   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/11/26 Temporal filtering characteristics of gated InGaAs/InP single-photon detectors for coincidence measurement 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70, 期号: 7, 页码: 9 作者:  Jin Ya-Qing;  Dong Rui-Fang;  Quan Run-Ai;  Xiang Xiao;  Liu Tao   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2021/11/29 coincidence detection  single-photon detectors  gate pulses  temporal filtering   一种高速掩埋DFB半导体激光器及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN110098562A, 申请日期: 2019-08-06, 公开日期: 2019-08-06 作者:  薛贤铨   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/12/30 一种DFB半导体激光器芯片 专利  OAI收割 专利号: CN110086085A, 申请日期: 2019-08-02, 公开日期: 2019-08-02 作者:  薛正群;  吴林福生;  杨重英;  陆绿;  苏辉   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/12/30 基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片 专利  OAI收割 专利号: CN107809059B, 申请日期: 2019-07-02, 公开日期: 2019-07-02 作者:  张明江;  王安帮;  牛亚楠;  张建忠;  赵彤   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/12/24