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浏览/检索结果: 共1602条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Design and Fabrication of Color Conversion Layer Based on InP/ZnS Core-shell Quantum Dots 期刊论文  OAI收割 Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2020, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 592-602 作者:  J.-X. Wang,J. Tao,J.-G. Lyu,Y. Li,Y.-Z. Zhao,P.-Y. Li,Y.-X. Qin,Y. Zhang,Z.-D. Hao,W.-B. Wang and J.-Q. Liang   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2021/07/06 Optical semiconductor device, optical subassembly, and optical module 专利  OAI收割 专利号: US10312665, 申请日期: 2019-06-04, 公开日期: 2019-06-04 作者:  KITATANI, TAKESHI;  OKAMOTO, KAORU;  NAKAHARA, KOUJI   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 640x512 pixel InGaAs FPAs for short-wave infrared and visible light imaging 会议论文  OAI收割 作者:  Shao XM;  Bo Y;  Huang SL;  Yang W;  Li X   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2018/11/20 Electrical and optical performances of InGaAs/GaAsSb superlattice short-wavelength infrared detectors 期刊论文  OAI收割 OPTICAL ENGINEERING, 2017, 卷号: 56, 期号: 5 作者:  Jin C;  Chen JX;  Xu QQ;  Yu CZ;  He L   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/11/20 short-wavelength infrared  type II InGaAs/GaAsSb superlattice  quantum efficiency  absorption region thickness   Beryllium compensation doped InGaAs/GaAsSb superlattice photodiodes 会议论文  OAI收割 作者:  Jin C;  Wang FF;  Xu QQ;  Yu CZ;  Chen JX   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/11/20 An optical nano-antenna structure of metallic ball array for enhancement of near-infrared photodetection 会议论文  OAI收割 作者:  Yao PF;  Li T;  Li X;  Shao XM;  Gong HM   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/11/20 nano-antenna  near-infrared photodectection  surface plasmon polariton   Characteristics of InP on GaAs substrate using Zn-doped Al(Ga)InAs metamorphic buffers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2017 作者:  He, Yang（何洋）;  Sun, Yurun（孙玉润）;  Zhao, Yongming（赵勇明);  Yu, Shuzhen(于淑珍）;  Dong, Jianrong（董建荣）   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/02/05 Microstructural response of InGaN to swift heavy ion irradiation 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2016, 卷号: 388, 页码: 30-34 作者:  Zhang, L. M.;  Jiang, W.;  Fadanelli, R. C.;  Ai, W. S.;  Peng, J. X.   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/05/31 Swift heavy ion irradiation  Microstructure  InGaN   Method for manufacturing semiconductor device and the semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: US9373939, 申请日期: 2016-06-21, 公开日期: 2016-06-21 作者:  MORI, HIROKI;  TANAHASHI, TOSHIYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/24 Method of manufacturing semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US9331456, 申请日期: 2016-05-03, 公开日期: 2016-05-03 作者:  ISHIURA, MASAMI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24