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Annihilation and Regeneration of Defects in (11(2)over-bar2) Semipolar AlN via High-Temperature Annealing and MOVPE Regrowth 期刊论文  OAI收割
CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2021, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 2911-2919
作者:  Chen, Li;  Lin, Wei;  Chen, Hangyang;  Xu, Houqiang;  Guo, Chenyu
  |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2021/12/01
Annihilation and Regeneration of Defects in (11(2)over-bar2) Semipolar AlN via High-Temperature Annealing and MOVPE Regrowth 期刊论文  OAI收割
CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2021, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 2911-2919
作者:  Chen, Li;   Lin, Wei;   Chen, Hangyang;   Xu, Houqiang;   Guo, Chenyu;   Liu, Zhibin;   Yan, Jianchang;   Sun, Jie;   Liu, Huan;   Wu, Jason;   Guo, Wei;   Kang, Junyong;   Ye, Jichun
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2022/07/26
A MOVPE method for improving InGaN growth quality by pre-introducing TMIn 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 18103
作者:  Cao, Zi-Kun;   Zhao, De-Gang;   Yang, Jing;   Zhu, Jian-Jun;   Liang, Feng;   Liu, Zong-Shun
  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2022/12/29
MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications 期刊论文  OAI收割
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7
作者:  Sala, E. M.;  Arikan, I. F.;  Bonato, L.;  Bertram, F.;  Veit, P.
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/09/17
Different variation behaviors of resistivity for high-temperature-grown and low-temperature-grown p-GaN films 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 2
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11
Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:  Li, SM(李水明);  Zhou, Y(周宇);  Gao, HW(高宏伟);  Dai, SJ(戴淑君);  Yu, GH(于国浩)
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/03/11
Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate 期刊论文  OAI收割
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11
Electrochemical fabrication and interfacial charge-transfer process of Ni/GaN(0001) electrodes 期刊论文  OAI收割
PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2016, 卷号: 18, 期号: 8
作者:  Qin, SJ(秦双娇);  Peng, F(彭飞);  Chen, XQ(陈雪晴);  Pan, GB(潘革波)
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/03/11
AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on High-quality AlN template using MOVPE 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, Journal of Crystal Growth, 2015, 2015, 卷号: 414, 414, 页码: 254–257, 254–257
作者:  Jianchang Yan;  Junxi Wang;  Yun Zhang;  Peipei Cong;  Lili Sun
  |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/04/15
Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 16
作者:  Zhang SM(张书明);  Yang H(杨辉);  Liu JP(刘建平);  Yang, J
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/12/19