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上海微系统与信息技术... [1]
采集方式
OAI收割 [6]
iSwitch采集 [5]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2022 [1]
2019 [1]
2011 [2]
2004 [1]
2001 [6]
学科主题
半导体物理 [4]
Physics, A... [1]
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共11条,第1-10条
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Self-assembled epitaxy of Ga2Se3 on the oxidized GaSe surface and atomic imaging of the Ga2Se3/GaSe heterostructure
期刊论文
OAI收割
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2022, 卷号: 586, 页码: 7
作者:
Liu, Jie
;
Li, Jingwei
;
Gu, Lixin
;
Wu, Hong
;
Han, Guang
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2022/07/07
GaSe bulk crystal & nbsp
GaSe oxidized surface
Ga2Se3/GaSe heterostructure
Atomic imaging
Van der Waals epitaxy
Polychromatic emission in a wide energy range from inp-inas-inp multi-shell nanowires
期刊论文
iSwitch采集
Nanotechnology, 2019, 卷号: 30, 期号: 19
作者:
Battiato,S
;
Wu,S
;
Zannier,V
;
Bertoni,A
;
Goldoni,G
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浏览/下载:82/0
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提交时间:2019/05/09
Inp-inas-inp heterostructure
Multi-shell nanowire
Photoluminescence
Detection of large in-plane spin-dephasing anisotropy in [100]-grown gaas/algaas quantum wells
期刊论文
iSwitch采集
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 1127-1130
作者:
Han, L. F.
;
Zhang, X. H.
;
Ni, H. Q.
;
Niu, Z. C.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Detection of large in-plane spin-dephasing anisotropy in [100]-grown GaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
OAI收割
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2011, 2011, 卷号: 43, 43, 期号: 5, 页码: 1127-1130, 1127-1130
作者:
Han LF
;
Zhang XH
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Zhang, XH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. xinhuiz@semi.ac.cn
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浏览/下载:47/3
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提交时间:2011/07/05
ZINCBLENDE HETEROSTRUCTURES
RELAXATION ANISOTROPY
SYSTEMS
SPINTRONICS
DYNAMICS
Zincblende Heterostructures
Relaxation Anisotropy
Systems
Spintronics
Dynamics
Linear and nonlinear electron transport in modulation-doped AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2004, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 50-53
Cao, JC
;
Yao, W
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浏览/下载:79/0
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提交时间:2011/12/17
MONTE-CARLO CALCULATION
WURTZITE GAN
IMPACT IONIZATION
BULK ZINCBLENDE
GALLIUM NITRIDE
In-plane optical anisotropy of symmetric and asymmetric (001) gaas/al(ga)as superlattices and quantum wells
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 3, 页码: 1266-1270
作者:
Ye, XL
;
Chen, YH
;
Wang, JZ
;
Xu, B
;
Wang, ZG
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/05/12
In-plane optical anisotropy in asymmetric si1-xgex/si/si1-ygey superlattices
期刊论文
iSwitch采集
Journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 24, 页码: L559-l567
作者:
Yu, R
;
Zhu, BF
;
Wang, QM
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Determination of the values of hole-mixing coefficients due to interface and electric field in gaas/alxga1-xas superlattices
期刊论文
iSwitch采集
Physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: 6
作者:
Ye, XL
;
Chen, YH
;
Wang, JZ
;
Wang, ZG
;
Yang, Z
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
In-plane optical anisotropy of symmetric and asymmetric (001) GaAs/Al(Ga)As superlattices and quantum wells
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 3, 页码: 1266-1270
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:87/9
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提交时间:2010/08/12
ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS
DIFFERENCE SPECTROSCOPY
INVERSION ASYMMETRY
COMMON-ATOM
LIGHT-HOLE
HETEROSTRUCTURES
INTERFACE
In-plane optical anisotropy in asymmetric Si1-xGex/Si/Si1-yGey superlattices
期刊论文
OAI收割
journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 24, 页码: l559-l567
Yu R
;
Zhu BF
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:78/7
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提交时间:2010/08/12
ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS
QUANTUM-WELLS
ELECTRONIC-STRUCTURE
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
INTERFACES
FIELD