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強度パルス形状修正を利用する超高速パルスレーザーシステム 专利  OAI收割
专利号: JP2019513306A, 申请日期: 2019-05-23, 公开日期: 2019-05-23
作者:  
アレックス·ユシム;  イゴール·サマルツェフ;  オレグ·シュクリーキン
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/12/31
レーザーの用途のためのランプ 专利  OAI收割
专利号: JP2012523662A, 申请日期: 2012-10-04, 公开日期: 2012-10-04
作者:  
クルト,ラルフ;  ドレンテン,ロナルト レインデルト;  パウリュッセン,エルフィラ イェー エム;  ファルステル,アドリアーン;  フルニエ,ドゥニ
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/12/31
波長可変ダイオードレーザを用いたガスタービンの高温ガス温度測定 专利  OAI收割
专利号: JP2012057623A, 申请日期: 2012-03-22, 公开日期: 2012-03-22
作者:  
ビヴェク·ヴェヌゴパル·バダミ;  スコット·マーディン·ホイト;  チャヤン·ミトラ;  アヤン·バネルジ
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/12/31
レーザープラスチック溶着のための自動パーツフィードバック補償 专利  OAI收割
专利号: JP2008012590A, 申请日期: 2008-01-24, 公开日期: 2008-01-24
作者:  
スコット·キャルドウェル;  ウィリアム·モロー·ジュニア;  ヒュー·マクナイヤー;  スコット·ラトナ
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/12/31
光電子デバイスのウェハレベルパッケージおよびパッケージング方法 专利  OAI收割
专利号: JP2005094019A, 申请日期: 2005-04-07, 公开日期: 2005-04-07
作者:  
ケンドラ·ジェイ·ギャラップ;  フランク·エス·ギーフェイ;  ロナルド·シェーン·ファッチオ;  マーサ·ジョンソン
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/12/30
個別にアドレス呼び出し可能なダイオードレーザーの線形アレイを有するプリンタヘッド 专利  OAI收割
专利号: JP2004515069A, 申请日期: 2004-05-20, 公开日期: 2004-05-20
作者:  
コヌナホ、ツオモ;  アソネン、ハリー;  サロカトブ、アルト·ケー;  ナエピ、ジャリ·タパニ
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体光学デバイスおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2003224330A, 申请日期: 2003-08-08, 公开日期: 2003-08-08
作者:  
ホロニャック ニック ジュニア;  キッシュ フレッド エー.;  カラッチ ステファン ジェイ.;  エルゼイン ナダ
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/30
超低圧金属-有機蒸気相エピタキシ方法によるII-VI半導体化合物の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2002514997A, 申请日期: 2002-05-21, 公开日期: 2002-05-21
作者:  
タスカー ニキル アール;  ドールマン ドナルド アール;  ギャラガー デニス
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体光電子素子の製造方法およびこの方法によって製造される素子および素子マトリックス 专利  OAI收割
专利号: JP1998107389A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24
作者:  
レオン·ゴルドスタン;  フランソワ·ブリルエ;  カトリーヌ·フオルタン;  ジヨエル·ジヤケ;  ポール·サレ
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/18
オプト-エレクトロニク半導体デバイス 专利  OAI收割
专利号: JP2538157B2, 申请日期: 1996-07-08, 公开日期: 1996-09-25
作者:  
ピーテル イドゥス クインデルスマ;  テウニス ファン ドンヘン;  ヘラルダス ランベルタス アントニウス ヘンリカス ファン デル ホフスタッド;  マルセリヌス ベルナルダス マリア ケンプ
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/23