机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 1999 [1]
• 1998 [1]
• 1995 [3]
• 1994 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 量子井戸型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2913947B2, 申请日期: 1999-04-16, 公开日期: 1999-06-28 作者:  今本 浩史;  今仲 行一   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26 量子井戸型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2752061B2, 申请日期: 1998-02-27, 公开日期: 1998-05-18 作者:  今仲 行一   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子、光学検知装置、光学的情報検知装置、投光器及び光ファイバーモジュール 专利  OAI收割 专利号: JP1995226535A, 申请日期: 1995-08-22, 公开日期: 1995-08-22 作者:  今本 浩史;  柳ケ瀬 雅司;  今仲 行一;  清本 浩伸   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レ-ザ 专利  OAI收割 专利号: JP1995032291B2, 申请日期: 1995-04-10, 公开日期: 1995-04-10 作者:  今仲 行一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レ-ザ 专利  OAI收割 专利号: JP1995032288B2, 申请日期: 1995-04-10, 公开日期: 1995-04-10 作者:  今仲 行一   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1994005916A, 申请日期: 1994-01-14, 公开日期: 1994-01-14 作者:  今本 浩史;  今仲 行一;  渡辺 秀明   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18