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• 西安光学精密机械研究... [6]

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• 专利 [6]

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• 2016 [1]
• 2006 [1]
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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 波長変換部材及び画像形成装置 专利  OAI收割 专利号: JP2016114728A, 申请日期: 2016-06-23, 公开日期: 2016-06-23 作者:  三森 満;  今田 昌宏   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3792041B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28 作者:  橋本 忠朗;  油利 正昭;  今藤 修;  石田 昌宏   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 異種部材の熱接着方法 专利  OAI收割 专利号: JP2004219688A, 申请日期: 2004-08-05, 公开日期: 2004-08-05 作者:  野田 進;  今田 昌宏;  小川 新平   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000315817A, 申请日期: 2000-11-14, 公开日期: 2000-11-14 作者:  石田 昌宏;  油利 正昭;  今藤 修;  中村 真嗣;  折田 賢児   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物系化合物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998284802A, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-10-23 作者:  今藤 修;  油利 正昭;  橋本 忠朗;  石田 昌宏;  杉野 隆   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 III族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997249499A, 申请日期: 1997-09-22, 公开日期: 1997-09-22 作者:  橋本 忠朗;  今藤 修;  石田 昌宏;  杉野 隆   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31