机构

• 微电子研究所 [16]
• 沈阳应用生态研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [18]

内容类型

• 专利 [14]
• 期刊论文 [3]
• 学位论文 [1]

发表日期

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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210293525.X, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2014-02-19 作者:  马小龙;  殷华湘;  付作振   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/03/22 堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210392511.3, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2014-04-16 作者:  殷华湘;  秦长亮;  付作振;  马小龙;  陈大鹏   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/03/21 堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 专利  OAI收割 专利号: US9892912, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2015-08-13 作者:  殷华湘;  秦长亮;  付作振;  马小龙;  陈大鹏   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/03/27 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210293349.X, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-02-19 作者:  马小龙;  殷华湘;  付作振   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/03/14 双金属栅极CMOS器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: US9384986, 申请日期: 2016-07-05, 公开日期: 2013-10-31 作者:  殷华湘;  付作振;  徐秋霞;  陈大鹏   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/06/13 半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210067446.7, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2013-09-18 作者:  赵超;  殷华湘;  付作振;  徐秋霞;  陈大鹏   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/06/30 双金属栅极CMOS器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210129587.7, 申请日期: 2015-10-14, 公开日期: 2013-10-30 作者:  殷华湘;  付作振;  徐秋霞;  陈大鹏   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/09/18 Structure design and film process optimization for metal-gate stress in 20 nm nMOS devices 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors, 2013 作者:  Yin HX(殷华湘);  Fu ZZ(付作振);  Ma XL(马小龙)   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/10/30 纳米级CMOS器件应力金属栅工程及结构优化研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院大学, 2013 作者:  付作振   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/10/13 半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: US8912070, 申请日期: 2012-10-22, 公开日期: 2015-05-27 作者:  马小龙;  殷华湘;  付作振   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/05/27