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西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2016 [1]
2010 [2]
2007 [2]
2004 [1]
2000 [2]
1999 [1]
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第13族氮化物晶体、所述晶体衬底及所述晶体制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN103668460B, 申请日期: 2016-09-21, 公开日期: 2016-09-21
作者:
林昌弘
;
佐藤隆
;
木村千春
;
三好直哉
;
村上明繁
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提交时间:2019/12/26
半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2010109215A, 申请日期: 2010-05-13, 公开日期: 2010-05-13
作者:
鶴岡 清貴
;
加藤 友章
;
佐藤 健二
;
須藤 信也
;
岡本 健志
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提交时间:2019/12/31
外部共振器型レーザモジュール及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2010016032A, 申请日期: 2010-01-21, 公开日期: 2010-01-21
作者:
水谷 健二
;
佐藤 健二
;
須藤 信也
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提交时间:2019/12/31
光学素子·光源ユニット·光走査装置·画像形成装置
专利
OAI收割
专利号: JP2007058100A, 申请日期: 2007-03-08, 公开日期: 2007-03-08
作者:
増田 浩二
;
今井 重明
;
山田 泰史
;
橋口 強
;
峯岸 大生
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提交时间:2019/12/30
光分岐モジュール及び信号処理装置
专利
OAI收割
专利号: JP2007057686A, 申请日期: 2007-03-08, 公开日期: 2007-03-08
作者:
岡田 純二
;
小関 忍
;
木島 勝
;
大谷 修
;
黒石 範彦
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提交时间:2020/01/18
半导体激光器激励的固体激光器
专利
OAI收割
专利号: CN1154209C, 申请日期: 2004-06-16, 公开日期: 2004-06-16
作者:
佐藤信二
;
福村今日子
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提交时间:2019/12/26
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2000223768A, 申请日期: 2000-08-11, 公开日期: 2000-08-11
作者:
佐藤 信二
;
福村 今日子
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2000183438A, 申请日期: 2000-06-30, 公开日期: 2000-06-30
作者:
福村 今日子
;
佐藤 信二
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提交时间:2020/01/13
パルスレーザ励起制御方法およびパルスレーザ励起用電源装置
专利
OAI收割
专利号: JP1999135860A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21
作者:
金原 好秀
;
佐藤 信二
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提交时间:2019/12/31