机构

• 新疆理化技术研究所 [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2022 [1]
• 2021 [3]
• 2020 [1]
• 2019 [1]
• 2018 [2]

学科主题

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 2022, 卷号: 45, 期号: 1, 页码: 39-45 作者:  马函1,2;  孙静1;  何承发1;  荀明珠1   |  收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2022/01/25 RADFETs  质子辐照  γ剂量标定  陷阱电荷分离   不同温度辐照下栅控双极晶体管的总剂量效应参数退化研究（英文） 期刊论文  OAI收割 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2183-2190 作者:  相传峰1,2;  李小龙1;  陆妩1,2;  王信1;  刘默寒1   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2022/01/25 温度效应  总剂量效应  界面陷阱电荷  GLPNP双极晶体管   抗辐射封装加固：电子辐射屏蔽设计 期刊论文  OAI收割 微处理机, 2021, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 1-4 作者:  赵鹤然1;  王吉强2;  陈明祥3;  杨涛4;  何承发5   |  收藏  |  浏览/下载：122/0  |  提交时间：2021/11/29 总剂量效应  空间辐射  封装加固  纳米材料  屏蔽   高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究（英文） 期刊论文  OAI收割 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2175-2182 作者:  马函1,2;  孙静1;  何承发1;  荀明珠1   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2022/01/25 高温环境  RADFETs  辐照响应   平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响 期刊论文  OAI收割 电子学报, 2020, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 2278-2283 作者:  王涛1,2,3;  王倩1;  何承发2,3;  荀明珠2,3;  买买提热夏提·买买提1   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/12/15 电离总剂量效应  平衡材料  电流增益  次级电子平衡   Synergistic effect of enhanced low-dose-rate sensitivity and single event transient in bipolar voltage comparator LM139 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 172-178 作者:  Yao, S (Yao, Shuai)[ 1,2,3 ]   |  收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2019/02/25 Enhanced low dose rate sensitivity  single event transient  bipolar voltage comparator  synergistic effect   Estimation of low-dose-rate degradation on bipolar linear circuits using different accelerated evaluation methods 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 卷号: 67, 期号: 9, 页码: 202-209 作者:  Li, XL (Li Xiao-Long)[ 1,2,3 ];  Lu, W (Lu Wu)[ 1,2 ];  Wang, X (Wang Xin)[ 1,2,3 ];  Guo, Q (Guo Qi)[ 1,2 ];  He, CF (He Cheng-Fa)[ 1,2 ]   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2018/09/27 Bipolar Circuit  Enhanced Low-dose-rate Sensitivity  Accelerated Evaluation Method   The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ];  Liu, J (Liu, Jie)[ 2 ]   |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2018/09/27 Charge Sharing  Single-event Upset (Seu)  Static Random Access Memory  Total Ionizing Dose (Tid)