机构

• 西安光学精密机械研究... [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [8]

发表日期

• 2011 [1]
• 2003 [2]
• 2002 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [2]
• 1995 [1]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光学信息再生装置、光学信息再生装置的信息再生方法、程序以及记录介质 专利  OAI收割 专利号: CN102047333A, 申请日期: 2011-05-04, 公开日期: 2011-05-04 作者:  梶野修;  和田秀彦;  八木晴久   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2003069155A, 申请日期: 2003-03-07, 公开日期: 2003-03-07 作者:  谷村 純二;  田代 賀久;  阿部 真司;  笠井 信之;  西口 晴美   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光器件 专利  OAI收割 专利号: CN1392641A, 申请日期: 2003-01-22, 公开日期: 2003-01-22 作者:  阿部真司;  八木哲哉;  宫下宗治;  西口晴美;  大仓裕二   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1359179A, 申请日期: 2002-07-17, 公开日期: 2002-07-17 作者:  田代贺久;  川津善平;  西口晴美;  八木哲哉;  岛显洋   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 光集積素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000216475A, 申请日期: 2000-08-04, 公开日期: 2000-08-04 作者:  大林 健;  八木 久晴   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999054834A, 申请日期: 1999-02-26, 公开日期: 1999-02-26 作者:  八木 久晴;  松本 晃広   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999026862A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29 作者:  八木 久晴;  松本 晃広   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1995094824A, 申请日期: 1995-04-07, 公开日期: 1995-04-07 作者:  大林 健;  工藤 裕章;  猪口 和彦;  菅原 聰;  八木 久晴   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18