中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
_filter
_filter
_filter
筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助

条数/页： 排序方式：
変調器付きレーザの形成方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998027936A, 申请日期: 1998-01-27, 公开日期: 1998-01-27
作者:  加藤 幸雄;  山田 光志
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザ装置及びその動作方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997069666A, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-03-11
作者:  国井 達夫;  加藤 幸雄;  村井 仁
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザ素子およびその発振波長のスイッチング方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997069669A, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-03-11
作者:  国井 達夫;  加藤 幸雄;  山田 光志
  |  收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2020/01/18
光波長変換集積素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996334797A, 申请日期: 1996-12-17, 公开日期: 1996-12-17
作者:  加藤 幸雄;  上條 健;  国井 達夫
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996335749A, 申请日期: 1996-12-17, 公开日期: 1996-12-17
作者:  国井 達夫;  加藤 幸雄
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/13
光波長変換集積素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996334796A, 申请日期: 1996-12-17, 公开日期: 1996-12-17
作者:  加藤 幸雄;  上條 健;  国井 達夫
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18
集積化半導体光デバイスおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996288592A, 申请日期: 1996-11-01, 公开日期: 1996-11-01
作者:  山田 光志;  加藤 幸雄;  国井 達夫
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体多波長レーザアレイの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996064903A, 申请日期: 1996-03-08, 公开日期: 1996-03-08
作者:  加藤 幸雄;  国井 達夫
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31
光双安定素子及びその駆動方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995225404A, 申请日期: 1995-08-22, 公开日期: 1995-08-22
作者:  国井 達夫;  加藤 幸雄
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体多波長レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995193314A, 申请日期: 1995-07-28, 公开日期: 1995-07-28
作者:  加藤 幸雄;  国井 達夫
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31