机构

• 西安光学精密机械研究... [7]

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• OAI收割 [7]

内容类型

• 专利 [7]

发表日期

• 2010 [1]
• 2007 [1]
• 2005 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [2]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2010027936A, 申请日期: 2010-02-04, 公开日期: 2010-02-04 作者:  北谷 健;  土屋 朋信;  牧野 茂樹;  深町 俊彦   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 光分岐モジュール及び信号処理装置 专利  OAI收割 专利号: JP2007057686A, 申请日期: 2007-03-08, 公开日期: 2007-03-08 作者:  岡田 純二;  小関 忍;  木島 勝;  大谷 修;  黒石 範彦   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2005150181A, 申请日期: 2005-06-09, 公开日期: 2005-06-09 作者:  佐藤 宏;  土屋 朋信;  青木 雅博;  北谷 健;  ▲高▼橋 範次   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000277867A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06 作者:  北谷 健;  近藤 正彦;  中原 宏治   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム 专利  OAI收割 专利号: JP1999145560A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28 作者:  北谷 健;  近藤 正彦;  中原 宏治;  マイク ラルソン   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム 专利  OAI收割 专利号: JP1999087848A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30 作者:  近藤 正彦;  北谷 健;  中原 宏治   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 III-V族混晶半導体を用いた半導体装置の製造方法及び光通信システム 专利  OAI收割 专利号: JP2001024282A, 公开日期: 2001-01-26 作者:  近藤 正彦;  北谷 健;  田中 俊明   |  收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/26