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机构
西安光学精密机械研... [49]
采集方式
OAI收割 [49]
内容类型
专利 [49]
发表日期
2007 [1]
2004 [2]
2000 [1]
1999 [8]
1998 [5]
1997 [12]
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半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2007184627A, 申请日期: 2007-07-19, 公开日期: 2007-07-19
作者:
立田 英明
;
竹川 浩
;
堀尾 隆昭
;
弓達 新治
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提交时间:2020/01/13
半导体激光器的制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN1136636C, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
作者:
后藤修
;
山田光志
;
八重樫浩树
;
堀川英明
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提交时间:2019/12/26
半导体激光器的制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN1136636C, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
作者:
后藤修
;
山田光志
;
八重樫浩树
;
堀川英明
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
発振波長可変半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2000049418A, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-02-18
作者:
中村 幸治
;
大柴 小枝子
;
堀川 英明
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提交时间:2019/12/31
光半導体装置
专利
OAI收割
专利号: JP1999261168A, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-09-24
作者:
山田 光志
;
中村 幸治
;
大柴 小枝子
;
堀川 英明
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提交时间:2020/01/13
リッジ導波路型半導体光機能素子及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999202274A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
作者:
山田 光志
;
中村 幸治
;
堀川 英明
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提交时间:2019/12/31
半導体光素子及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999204879A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
作者:
山内 義則
;
堀川 英明
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提交时间:2020/01/13
集積型半導体光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1999135876A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21
作者:
大柴 小枝子
;
中村 幸治
;
堀川 英明
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提交时间:2019/12/31
変調器集積化半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999087839A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者:
中村 幸治
;
山内 義則
;
大柴 小枝子
;
堀川 英明
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999087851A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者:
中村 幸治
;
大柴 小枝子
;
堀川 英明
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提交时间:2020/01/18