中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2013 [2]
2012 [1]
2011 [3]
2010 [1]
2008 [2]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
垂直腔面发射激光器及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101800398B, 申请日期: 2013-04-10, 公开日期: 2013-04-10
作者:
增井勇志
;
荒木田孝博
;
成瀬晃和
;
幸田伦太郎
;
城岸直辉
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/24
半导体发光装置
专利
OAI收割
专利号: CN101794966B, 申请日期: 2013-01-02, 公开日期: 2013-01-02
作者:
城岸直辉
;
增井勇志
;
幸田伦太郎
;
荒木田孝博
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/23
半导体激光器及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101834408B, 申请日期: 2012-11-14, 公开日期: 2012-11-14
作者:
前田修
;
增井勇志
;
汐先政贵
;
佐藤进
;
荒木田孝博
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2020/01/18
激光二极管
专利
OAI收割
专利号: CN102214897A, 申请日期: 2011-10-12, 公开日期: 2011-10-12
作者:
增井勇志
;
荒木田孝博
;
菊地加代子
;
成瀬晃和
;
近藤幸一
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2020/01/18
半导体器件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN102163803A, 申请日期: 2011-08-24, 公开日期: 2011-08-24
作者:
增井勇志
;
荒木田孝博
;
山内义则
;
菊地加代子
;
幸田伦太郎
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:144/0
  |  
提交时间:2020/01/18
激光二极管
专利
OAI收割
专利号: CN101950923A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19
作者:
增井勇志
;
前田修
;
幸田伦太郎
;
荒木田孝博
;
城岸直辉
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2020/01/18
垂直腔面发射激光器
专利
OAI收割
专利号: CN101651287A, 申请日期: 2010-02-17, 公开日期: 2010-02-17
作者:
前田修
;
增井勇志
;
汐先政贵
;
荒木田孝博
;
河角孝行
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2020/01/18
发光元件及其制造方法以及发光元件组件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101247023A, 申请日期: 2008-08-20, 公开日期: 2008-08-20
作者:
增井勇志
;
荒木田孝博
;
幸田伦太郎
;
大木智之
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2020/01/18
半导体器件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101127434A, 申请日期: 2008-02-20, 公开日期: 2008-02-20
作者:
增井勇志
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:73/0
  |  
提交时间:2020/01/18