机构

• 西安光学精密机械研究... [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [8]

发表日期

• 2009 [1]
• 1999 [1]
• 1997 [2]
• 1996 [2]
• 1995 [2]

学科主题

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物半导体装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101442184A, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27 作者:  盐泽胜臣;  金本恭三;  大石敏之;  黑川博志;  川崎和重   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2908111B2, 申请日期: 1999-04-02, 公开日期: 1999-06-21 作者:  大石 敏之;  大村 悦司   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 分布帰還型半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2669045B2, 申请日期: 1997-07-04, 公开日期: 1997-10-27 作者:  阿部 雄次;  大塚 健一;  杉本 博司;  大石 敏之;  松井 輝仁   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2619057B2, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-06-11 作者:  阿部 雄次;  杉本 博司;  大塚 健一;  大石 敏之;  松井 輝仁   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レ-ザおよびその使用方法 专利  OAI收割 专利号: JP2529260B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-28 作者:  松井 輝仁;  大塚 健一;  杉本 博司;  阿部 雄次;  大石 敏之   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レ-ザおよびその使用方法 专利  OAI收割 专利号: JP2526898B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-21 作者:  松井 輝仁;  大塚 健一;  杉本 博司;  阿部 雄次;  大石 敏之   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 光デバイス及びその製造方法並びに半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995176832A, 申请日期: 1995-07-14, 公开日期: 1995-07-14 作者:  杉本 博司;  後藤田 光伸;  井須 俊郎;  阿部 雄次;  大塚 健一   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995007862B2, 申请日期: 1995-01-30, 公开日期: 1995-01-30 作者:  阿部 雄次;  杉本 博司;  大塚 健一;  大石 敏之;  松井 輝仁   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/13