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半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1994112530A, 申请日期: 1994-04-22, 公开日期: 1994-04-22
作者:  
天野 利昌;  中野 純一;  近藤 進
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半導体レ—ザ 专利  OAI收割
专利号: JP1994061579A, 申请日期: 1994-03-04, 公开日期: 1994-03-04
作者:  
中野 純一;  天野 利昌
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半導体レ-ザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1993347453A, 申请日期: 1993-12-27, 公开日期: 1993-12-27
作者:  
天野 利昌;  近藤 進;  中野 純一
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液相エピタキシャル成長装置および成長方法 专利  OAI收割
专利号: JP1993155683A, 申请日期: 1993-06-22, 公开日期: 1993-06-22
作者:  
天野 利昌;  中野 純一
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1993121826A, 申请日期: 1993-05-18, 公开日期: 1993-05-18
作者:  
天野 利昌;  海上 隆;  中野 純一
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