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Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法 专利  OAI收割
申请日期: 2018-11-09,
作者:  张志利,蔡勇,张宝顺,付凯,于国浩,孙世闯,宋亮
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AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low Vth Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator 期刊论文  OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao（于国浩）;  Zhang, Xiaodong（张晓东）
  |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/02/05
Mechanism of leakage of ion-implantation isolated AlGaN/GaN MIS-high electron mobility transistors on Si substrate 期刊论文  OAI收割
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017
作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Song, Liang
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Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY
收藏  |  浏览/下载：153/0  |  提交时间：2017/03/11
Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer 期刊论文  OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, XD(张晓东);  Deng, XG(邓旭光);  Li, SM(李水明)
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2017/03/11
Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation 期刊论文  OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Fu, K(付凯);  Deng, XG(邓旭光);  Zhang, XD(张晓东);  Fan, YM(范亚明)
收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2015/12/31