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机构
半导体研究所 [5]
高能物理研究所 [2]
中国科学院大学 [1]
采集方式
OAI收割 [7]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [1]
成果 [1]
发表日期
2016 [1]
2006 [1]
2002 [3]
1996 [2]
1985 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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Transition-metal-free stereospecific cross-coupling with alkenylboronic acids as nucleophiles
期刊论文
iSwitch采集
Journal of the american chemical society, 2016, 卷号: 138, 期号: 34, 页码: 10774-10777
作者:
Li, Chengxi
;
Zhang, Yuanyuan
;
Sun, Qi
;
Gu, Tongnian
;
Peng, Henian
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2019/05/09
Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality
会议论文
OAI收割
12th international conference on indium phosphide and related materials, princeton, nj, may 07-11, 2006
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Dong, HW (Dong, Hongwei)
;
Sun, NF (Sun, Niefeng)
;
Sun, TN (Sun, Tongnian)
收藏
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浏览/下载:66/12
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提交时间:2010/03/29
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
FE-DOPED INP
POINT-DEFECTS
COMPENSATION
TEMPERATURE
DONORS
TRAPS
Investigation of Residual Donor Defects in Undoped and Fe-Doped LEC InP
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 455-458
Zhao Youwen
;
Sun Niefeng
;
S. Fung
;
C. D. Beling
;
Sun Tongnian
;
Lin Lanying
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/11/23
Preparation of Semi-Insulating Material by Annealing Undoped InP
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 285-289
Zhao Youwen
;
Dong Hongwei
;
Jiao Jinghua
;
Zhao Jianqun
;
Lin Lanying
;
Sun Niefeng
;
Sun Tongnian
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/23
Electrical Transport Properties of Annealed Undoped InP
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 1-5
Zhao Youwen
;
Luo Yilin
;
Sun Niefeng
;
S Fung
;
Beling C D
;
Sun Tongnian
;
Lin Lanyin
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/11/23
掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究
期刊论文
OAI收割
高能物理与核物理, 1996, 期号: 12, 页码: 6
作者:
黄懋容
;
王蕴玉
;
杨巨华
;
何永枢
;
郭应焕
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提交时间:2015/12/25
正电子湮没
InP半导体
温度
用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP
期刊论文
OAI收割
核技术, 1996, 期号: 7, 页码: 395-399
作者:
黄懋容
;
王蕴玉
;
杨巨华
;
韩玉杰
;
孙同年
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/12/25
正电子湮没
InP半导体
可控电参数的低位错磷化铟单晶制备
成果
OAI收割
国家科技进步奖: 三等奖, 1985
叶式中
;
刘巽琅
;
刘思林
;
孙同年
;
焦景华
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提交时间:2010/04/13
磷化铟