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RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125
作者:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘新宇;  刘键
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/05/26
Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125
Wang Xiaoliang; Hu Guoxin; Wang Junxi; Liu Xinyu; Liu Hongxin; Sun Dianzhao; Zeng Yiping; Qian He; Li Jinmin; Kong Meiying; Lin Lanying
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/11/23
MBE生长的跨导为186mS／mm的AlGaN／GaN HEMT 期刊论文  OAI收割
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 5,484-488
作者:  胡国新;  王军喜;  刘宏新;  孙殿照;  曾一平
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/05/25
RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 602-605
胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/23
GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 期刊论文  OAI收割
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 142-144
作者:  刘超
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/23
MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文  OAI收割
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
黄大定; 李建平; 高斐; 林燕霞; 孙殿照; 刘金平; 朱世荣; 孔梅影
收藏  |  浏览/下载：66/6  |  提交时间：2009/06/11
射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用 期刊论文  OAI收割
真空科学与技术学报, 2002, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 153-156
杨冰; 蒲以康; 孙殿照
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23
Improved Epitaxy of 3C-SiC Layers on Si(100) by New CVD/LPCVD System 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 800-804
Sun Guosheng; Wang Lei; Luo Muchang; Zhao Wanshun; Sun Dianzhao; Zeng Yiping; Li Jinmin; Lin Lanying
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/23
分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料 期刊论文  OAI收割
固体电子学研究与进展, 2002, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 202-204
孙殿照; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/23