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半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1996034330B2, 申请日期: 1996-03-29, 公开日期: 1996-03-29
作者:  
宮沢 誠一
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半導体レ-ザ装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994101609B2, 申请日期: 1994-12-12, 公开日期: 1994-12-12
作者:  
長谷川 光利;  原 利民;  野尻 英章;  関口 芳信;  宮沢 誠一
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レ-ザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1994046666B2, 申请日期: 1994-06-15, 公开日期: 1994-06-15
作者:  
宮沢 誠一;  野尻 英章;  原 利民;  清水 明;  関口 芳信
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レ-ザ 专利  OAI收割
专利号: JP1994032339B2, 申请日期: 1994-04-27, 公开日期: 1994-04-27
作者:  
原 利民;  関口 芳信;  宮沢 誠一;  野尻 英章;  清水 明
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
結晶改善された化合物半導体デバイスの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1993275813A, 公开日期: 1993-10-22
作者:  
宮沢 誠一;  水谷 夏彦
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/26